Перейти к содержимому страницы.

Бугров Владислав Евгеньевич EnEnglish

Владислав Евгеньевич Бугров - доктор физ.-мат. наук, лауреат премии Правительства РФ в области науки и техники 2012 года, директор мегафакультета фотоники, заведующий кафедрой световых технологий и оптоэлектроники Университета ИТМО, руководитель международной лаборатории «Наноматериаловедения и наномеханики», сотрудник международного научного центра функциональных материалов и устройств оптоэлектроники и электроники, член ректората.

 

Образование и трудовой путь

В 1996 году с отличием окончил кафедру оптоэлектроники (под руководством Нобелевского лауреата Ж.И. Алферова) Санкт-Петербургского государственного электротехнического университета имени В.И. Ульянова (Ленина) по специальности «Оптические приборы и системы». За время обучения В.Е. Бугров более 10 раз становился лауреатом российских и международных премий. В 1999 году в ФТИ им. А.Ф. Иоффе защитил диссертацию на тему «Теоретическое исследование оптических свойств полупроводниковых лазерных структур на основе нитридов металлов III группы»; присвоена степень кандидата физико-математических наук. В 2013 году также в ФТИ им. А.Ф. Иоффе защитил докторскую диссертацию на тему «Физические основы оптимизации нитридных полупроводниковых гетероструктур для их применения в высокоэффективных светодиодных устройствах» в Диссертационном Совете при Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе РАН, г. Санкт-Петербург; присуждена степень доктора физико-математических наук. В 2013 году стал лауреатом премии Правительства РФ в области науки и техники за 2012 год.

С 1994 по 2004 годы занимался развитием технологии получения светодиодных приборов на основе нитридов металлов III группы в лидирующих мировых светодиодных компаниях Cree (США), TDI (США) и Arima Optoelectronics (Тайвань). В 2004 году стал одним из основателей Оптоган. Проработал в разных должностях компании до 2013 года, в том числе с 2010 по 2013 год был генеральным директором производственного подразделения компании – завода компании в Санкт-Петербурге.

 

Общественная деятельность

С сентября 2012 г. – член Экспертной коллегии Фонда «Сколково».

С ноября 2013 г. – член Экспертной группы Научно-координационного совета ФЦП "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технического комплекса России на 2014-2020 годы" по приоритетному направлению "Индустрия наносистем".

С сентября 2014 г. – член рабочей группы научно-технического совета Военно-промышленной комиссии при Правительстве Российской Федерации по проблемным вопросам развития радиофотоники.

 

Педагогическая деятельность

Входит в состав федерального учебно-методического объединения вузов по укрупненной группе специальностей и направлений подготовки в системе высшего образования 12.00.00 Фотоника, приборостроение, оптические, биотехнические системы и технологии. Руководитель направления подготовки «Оптотехника» (бакалавриат, магистратура).

Руководит образовательной магистерской программой «Светодиодные технологии» в Университете ИТМО. Возглавляет проект по разработке образовательной магистерской программы «Светодиодные технологии» по направлению подготовки 200400-Оптотехника Фонда инфраструктурных и образовательных программ ОАО «РОСНАНО».

Руководит аспирантами и магистрантами.

Дисциплины профессионального цикла подготовки:

- «Оптоэлектроника светодиодов»

- «Физические основы светодиодной техники»

- «Элементы теории твердого тела и кристаллографии»

 

Научная деятельность

Главные направления научных исследований включают в себя комплексное улучшение свойств нитридных полупроводниковых гетероструктур и приборов, созданных на их основе, моделирование и оптимизацию структурных свойств светодиодных материалов и светодиодных устройств, а также других приборов современных оптоэлектроники, оптотехники и радиофотоники.

Научные интересы включают в себя также изучение современных материалов с уникальными оптическими и тепловыми свойствами, композитные материалы, наноструктуры на основе углерода, прозрачные оксиды, подложки на основе монокристаллов оксида галлия.

Был руководителем нескольких международных научных проектов, в частности, с фондом Tekes, а также руководил и участвовал в исполнении нескольких грантов РФФИ, проектов фонда Сколково, и госконтрактов Минобрнауки РФ.

Является автором более 80 опубликованных научных работ, автором 30 международных и 6 российских полученных патентов, а также более 100 патентных заявок.

Индекс Хирша согласно Web of Science: 11

 

Перечень избранных публикаций, включенных в международные перечни Web of Science / Scopus:

[1] Bougrov V.E., Zubrilov A.S., Computer simulation of optical confinement in III-V nitride double heterostructures, Inst. Phys. Conf. Ser., Vol. 142, Is. 6, 1996, pp. 1007-1010

[2] Бугров В.Е., Зубрилов А.С., Волноводные свойства гетероструктур на основе нитридов галлия, алюминия и индия, Физика и Техника Полупроводников, Т. 31, В. 1, 1997, стр. 63–67

[3] Зубрилов А.С., Мельник Ю.В., Цветков Д.В., Бугров В.Е., Николаев А.Е., Степанов С.И., Дмитриев В.А., Люминесцентные свойства слоев нитрида галлия, выращенных газофазной эпитаксией в хлоридной системе на подложках карбида кремния, Физика и Техника Полупроводников, Т. 31, В. 6, 1997, стр. 616–620

[4] Bougrov V.E., Zubrilov A.S., Optical confinement and threshold currents in III-V nitride heterostructures: Simulation, J. Appl. Phys., Vol. 81, Is. 7, 1997, pp. 2952-2956

[5] Sukhoveyev V., Ivantsov V., Zubrilov A., Nikolaev V., Nikitina I., Bougrov V., Tsvetkov D., Dmitriev V., Crystal structure and optical properties of bulk GaN crystals grown from a melt at reduced pressure, Mater. Sci. Forum, Vols. 264-268, 1998, pp. 1331–1334

[6] Бугров В.Е., Константинов О.В., Учет кулоновского взаимодействия электронов и дырок в квантовых точках на основе InGaN, Физика и Техника Полупроводников, Т. 32, В. 10, 1998, стр. 1235-1239

[7] Rebane Y.T., Shreter Y.G., Yavich B.S., Bougrov V.E., Stepanov S.I., Wang W.N., Light emitting diode with charge asymmetric resonance tunneling, Physica Status Solidi (a), Vol. 180, Is. 1, 2000, pp. 121-126

[8] Stepanov S., Wang W.N., Yavich B.S., Bougrov V., Rebane Y.T., Shreter Y.G., Influence of Poisson's ratio uncertainty on calculations of the bowing parameter for strained InGaN layers, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res., Vol. 6, Art. 6, 2001

[9] Wang P.J., Bougrov V.E., Rebane Y.T., Shreter Y.G., Stepanov S.I., Tseng L., Yavich B.S., Wang W.N., III-nitride efficient LEDs, Proceedings of SPIE, Vol. 4445, 2001, pp. 99-110

[10] Bougrov V., Levinshtein M., Rumyantsev S.L., Zubrilov A., Chapter 1 (Gallium Nitride) in: "Properties of Advanced Semiconductor Materials: GaN, AIN, InN, BN, SiC, SiGe", John Wiley & Sons, Inc. NY-Chichester-Weinheim-Brisbane-Singapore-Toronto, 2002

[11] Rebane Y.T., Bochkareva N.I., Bougrov V.E., Tarkhin D.V., Shreter Y.G., Girnov A.E., Stepanov S.I., Wang W.N., Chang P.T., Wang P.J., Degradation and transient currents in III-Nitride LEDs, Proceedings of SPIE, Vol. 4996, 2003, pp. 113-124

[12] Lang T., Odnoblyudov M., Bougrov V., Sopanen M., MOCVD growth of GaN islands by multistep nucleation layer technique, Journal of Crystal Growth, Vol. 277, Is. 1–4, 2005, pp. 64-71

[13] Bougrov V.E., Odnoblyudov M.A., Romanov A.E., Lang T., Konstantinov O.V., Threading dislocation density reduction in two-stage growth of GaN layers, Physica Status Solidi (a), Vol. 203, Is. 4, 2006, pp. R25-R27

[14] Lang T., Odnoblyudov M.A., Bougrov V.E., Romanov A.E., Suihkonen S., Sopanen M., Lipsanen H., Multistep method of threading dislocation density reduction in MOCVD grown GaN epilayers, Physica Status Solidi (a), Vol. 203, Is. 10, 2006, pp. R76-R78

[15] Lang T., Odnoblyudov M., Bougrov V., Suihkonen S., Sopanen M., Lipsanen H., Morphology optimization of MOCVD grown GaN nucleation layers by the multistep technique, Journal of Crystal Growth, Vol. 292, Is. 1, 2006, pp. 26-32

[16] Suihkonen S., Lang T., Svensk O., Sormunen J., Törmä P.T., Sopanen M., Lipsanen H., Odnoblyudov M.A., Bougrov V.E., Control of the morphology of InGaN/GaN quantum wells grown by metalorganic chemical vapor deposition, Journal of Crystal Growth, Vol. 300, Is. 2, 2007, pp. 324–329

[17] Ситникова А.А., Конников С.Г., Кириленко Д.А., Мынбаева М.Г., Одноблюдов М.А., Бугров В.Е., Ланг Т., Исследование методом просвечивающей электронной микроскопии структуры эпитаксиальных пленок нитрида галлия, выращенных на подложках с различной морфологией границы раздела, Поверхность, Т. 43, В. 5, 2007, cтр. 51–55

[18] Lang T., Odnoblyudov M.A., Bougrov V.E., Suihkonen S., Svensk O., Törmä P.T, Sopanen M, Lipsanen H., Reduction of threading dislocation density in Al0.12Ga0.88N epilayers by a multistep technique, Journal of Crystal Growth, Vol. 298, 2007, pp. 276-280

[19] Suihkonen S., Svensk O., Lang T., Lipsanen H., Odnoblyudov M.A., Bougrov V.E., The effect of InGaNGaN MQW hydrogen treatment on threading dislocation optimization on GaN LED efficiency, Journal of Crystal Growth, Vol. 298, 2007, pp. 740–743

[20] Svensk O., Suihkonen S., Lang T., Lipsanen H., Sopanen M., Odnoblyudov M.A., Bougrov V.E., Effect of growth conditions on electrical properties of Mg-doped p-GaN, Journal of Crystal Growth, Vol. 298, 2007, pp. 811-814

[21] Lankinen A., Lang T., Suihkonen S., Svensk O., Säynätjoki A., Tuomi T.O., McNally P.J., Odnoblyudov M., Bougrov V., Danilewsky A.N., Bergman P., Simon R., Dislocations at the interface between sapphire and GaN, J. Mater. Sci.: Mater. Electron., Vol. 19, Is. 2, 2008, pp. 143-148

[22] Svensk O., Törmä P.T., Suihkonen S., Ali M., Lipsanen H., Sopanen M., Odnoblyudov M.A., Bougrov V.E., Enhanced electroluminescence in 405 nm InGaN/GaN LEDs by optimized electron blocking layer, Journal of Crystal Growth, Vol. 310, Is. 23, 2008, pp. 5154-5157

[23] Törmä P.T., Svensk O., Ali M., Suihkonen S., Sopanen M., Odnoblyudov M.A., Bougrov V.E., Effect of InGaN underneath layer on MOVPE-grown InGaN/GaN blue LEDs, Journal of Crystal Growth, Vol. 310, Is. 23, 2008, pp. 5162-5165

[24] Suihkonen S., Svensk O., Törmä P.T., Ali M., Sopanen M., Lipsanen H., Odnoblyudov M.A., Bougrov V.E., MOVPE growth and characterization of InAlGaN films and InGaN/InAlGaN MQW structures, Journal of Crystal Growth, Vol. 310, Is. 7-9, 2008, pp. 1777-1780

[25] Törmä P.T., Ali M., Svensk O., Sintonen S., Kostamo P., Sopanen M., Lipsanen H., Odnoblyudov M.A., Bougrov V.E., An investigation of structural properties of GaN films grown on patterned sapphire substrates by MOVPE, Physica B: Cond. Matter, Vol. 404, Is. 23-24, 2009, pp. 4911-4915

[26] Törmä P.T., Svensk O., Ali M., Suihkonen S., Sopanen M., Odnoblyudov M.A., Bougrov V.E., Maskless roughening of sapphire substrates for enhanced light extraction of nitride based blue LEDs, Sol. State Electron., Vol. 53, Is. 2, 2009, pp. 166-169

[27] Bougrov V.E., Kovsh A.R., Odnoblyudov M.A., Romanov A.E., High quality GaN substrates for modern LED technology, LED Professional Review, Is. 18, 2010, pp. 42-49

[28] Törmä P.T., Ali M., Svensk O., Suihkonen S., Sopanen M., Lipsanen H., Mulot M., Odnoblyudov M.A., Bougrov V.E., InGaN-based 405 nm near-ultraviolet light emitting diodes on pillar patterned sapphire substrates, CrystEngComm, Vol. 12, Is. 10, 2010, pp. 3152-3156

[29] Ali M., Romanov A.E., Suihkonen S., Svensk O., Törmä P.T., Sopanen M., Lipsanen H., Odnoblyudov M.A., Bougrov V.E., Void shape control in GaN re-grown on hexagonally patterned, mask-less GaN, Journal of Crystal Growth, Vol. 315, Is. 1, 2011, pp. 188-191

[30] Ковш А., Николаев В., Одноблюдов М., Романов А., Высококачественные подложки GaN для современной светодиодной индустрии, Полупроводниковая Светотехника, № 5, 2011, стр. 30-33

[31] Ivukin I.N., Bougrov V.E., Odnoblyudov M.A., Romanov A.E., Reduction of mechanical stresses in GaN/sapphire templates via formation of regular porous structure, Physica Status Solidi (c), Vol. 9, Is. 3-4, 2012, pp.1057-1059

[32] Suslov S.S., Bougrov V.E., Odnoblyudov M.A., Romanov A.E., Modelling and optimization of electric current spreading in III-nitride LEDs, Physica Status Solidi (c), Vol. 9, Is. 3-4, 2012, pp. 1105-1108

[33] Ali M., Romanov A.E., Suihkonen S., Svensk O., Sintonen S., Sopanen M., Lipsanen H., Nevedomsky V.N., Bert N.A., Odnoblyudov M.A., Bougrov V.E., Analysis of threading dislocations in void shape controlled GaN re-grown on hexagonally patterned mask-less GaN, Journal of Crystal Growth, Vol. 344, Is. 1, 2012, pp. 59-64

[34] Суслов С.С., Виноградова К.А., Бугров В.Е., Одноблюдов М.А., Романов А.Е., Параметрическое моделирование светоизлучающих структур на основе III-нитридов, Физика и механика материалов, Т. 14, В. 1, 2012, стр. 78-86

[35] Ивукин И.Н., Артемьев Д.М., Бугров В.Е., Одноблюдов М.А., Романов А.Е., Моделирование напряженно-деформированного состояния в тонких структурированных пленках нитрида галлия на сапфировых подложках, Физика Твердого Тела, Т. 54, В. 12, 2012, стр. 2102-2105

[36] Ali M., Svensk O., Riuttanen L., Kruse M., Suihkonen S., Romanov A.E., Törmä P.T., Sopanen M., Lipsanen H., Odnoblyudov M.A., Bougrov V.E., Enhancement of near-UV GaN LED light extraction efficiency by GaN/sapphire template patterning, Semiconductor Science and Technology, Vol. 27, Is. 8, Art. 082002, 2012, pp. 1-5

[37] D.M. Artemiev, V. E. Bougrov, M. A. Odnoblyudov, A.E. Romanov, Mechanical stress control in GaN films on sapphire substrate via patterned nanocolumn interlayer formation, Physica Status Solidi C, Vol. 10, Is. 1, 2013, pp. 89–92

[38] К.А. Виноградова, С.Н. Липницкая, К.Д. Мынбаев, В.Е. Бугров, А.Р. Ковш, М.А. Одноблюдов, В.И. Николаев, А.Е. Романов, Оптимизация вывода света из мощных светодиодных сборок "чип на плате", излучающих в ультрафиолетовом диапазоне длин волн, Физика и механика материалов, Т. 17, В. 2, 2013, стр. 111-120

[39] С.Н. Липницкая, К.Д. Мынбаев, В.Е. Бугров, А.Р. Ковш, М.А. Одноблюдов, А.Е. Романов, Влияние светорассеяния в оптических покрытиях на потери энергии в светодиодных устройствах, Письма в журнал технической физики, Т. 39, В. 24, 2013, стр. 1-8

[40] И.Н. Ивукин, В.Е. Бугров, А.Р. Ковш, М.А. Одноблюдов, А.Г. Шалковский, А.Е. Романов, Моделирование теплообмена и оптимизация свойств материалов пластиковых радиаторов ретрофитных светодиодных ламп, Физика и механика материалов, Т. 17, В. 2, 2013, стр. 178-182

[41] С. Н. Липницкая, К. Д. Мынбаев, В. В. Крамник, Л. А. Никулина, В. Е. Бугров, А. Р. Ковш, М. А. Одноблюдов, А. Е. Романов, Повышение эффективности вывода света из светодиодных модулей «CHIP-ON-BOARD», Оптический журнал, Т. 80, В. 12, 2013, стр. 45-52

[42] И. Н. Ивукин, А. Ю. Белов, В. Е. Бугров, А. Р. Ковш, М. А. Одноблюдов, А. Е. Романов, Оптимизация радиатора ретрофитной светодиодной лампы, Известия вузов. Приборостроение, Т. 56, В. 11, 2013, стр.83-87

[43] К.А. Виноградова, В.Е. Бугров, А.Р. Ковш, М.А. Одноблюдов, В.И. Николаев, А.Е. Романов, Деградация белых и синих светодиодов при длительном времени работы, Известия вузов. Приборостроение, 2013, Т. 56, В. 11, стр. 87-91

[44] К.А. Виноградова, Л.А. Никулина, К.Д. Мынбаев, А.Р. Ковш, М.А. Одноблюдов, В.И. Николаев, В.Е. Бугров, Сравнение эффективности светодиодных излучателей на основе монохромных чипов и чипов с люминофором,  Физика и механика материалов, Т. 18, В. 2, 2013, стр. 135-142

[45] К.А. Виноградова, Л.А. Никулина, С.С. Браславский, Е.А. Соловьева, К.Д. Мынбаев, В.И. Николаев, А.Е. Романов, В.Е. Бугров, Temperature stability of colored LED elements, Физика и механика материалов, Т. 18, В. 2, 2013, стр. 143-147

[46] S.N. Lipnitskaya, V. E. Bugrov, A. R. Kovsh, M. A. Odnoblyudov, K. D. Mynbaev, L. A. Nikulina, and A. E. Romanov, Increasing the light-output efficiency from chip-on-board LED modules, J. Opt. Technol. Vol. 80, Is. 12, 2013, , pp. 751-755

[47] V.I. Nikolaev, A.A. Golovatenko, M.G. Mynbaeva, I.P. Nikitina, N.V. Seredova, A.I. Pechnikov, V.E. Bougrov, M.A.  Odnobludov, Effect of nano–column properties on self-separation of thick GaN layers grown by HVPE, Physica status solidi С, Vol. 11, Is. 3-4, 2014, pp.502-504

[48] D.M. Artemiev, T.S. Orlova, V.E. Bougrov, M.A. Odnoblyudov, A.E. Romanov, Reaction-kinetics model for threading dislocation density reduction in GaN porous layer, AIP Conference Proceedings, Vol. 1583, 2014, pp. 310-314

[49] С.Н. Липницкая, К.Д. Мынбаев, Л.А. Никулина, В.Е Бугров, А.Р. Ковш, М.А. Одноблюдов, А.Е. Романов, Исследование вывода света из светодиодного модуля CHIP-ON-BOARD, Ученые записки физического факультета МГУ, 2014, В 2, 142402, 142402-1 – 14202-5

[50] M.A. Shvaleva, L.A. Nikulina, V.A. Aseev, K.D. Mynbaev, V.E. Bougrov, A.R. Kovsh, M.A. Odnoblyudov, N.V. Nikonorov, A.E. Romanov, Ce3+:YAG Doped Glass-Ceramics For Energy-Saving White Light-Emitting Diode, Optical Review, Vol. 21, Is. 5, 2014, pp. 683-686

[51] В. А. Асеев, А.Ю. Бибик, Е.В. Колобкова, Я.А. Некрасова, Н.В. Никоноров, В.Е. Бугров, А. Е. Романов, Ю.В. Тузова, М.А. Швалева, Неорганический композит «стекло-люминофор» на основе высокопреломляющей свинцово- силикатной матрицы для белых светодиодов, Физика и механика материалов, 2014, Т. 21, В. 3, стр. 242-247

[52] S. Lipnitskaya, K. Mynbaev, L. Nikulina, V. Kramnik, V. Bougrov, A. Kovsh, M. Odnoblyudov, A. Romanov, Investigation of light extraction from light emitting module chip-on-board, Optical Review, 2014, Vol. 21, Is. 5, pp. 655-658

[53] Е.С. Колодезный, И.Н. Ивукин, В.С. Серебрякова, В.Е. Бугров, А.Е. Романов, Thermal analysis of phosphor containing silicone layer in high power LEDs, Физика и механика материалов, 2014, Т. 21, В. 3, стр. 283-287

[54] A.E. Romanov, A.L. Kolesnikova, T.S. Orlova, I. Hussainova, V.E. Bougrov, R.Z. Valiev, Non-equilibrium grain boundaries with excess energy in graphene, Carbon, 2015, vol. 81, No 1, pp. 223-231

[55] М.Г. Мынбаева, А.И. Печников, Ш.Ш. Шарофидинов, В.Е. Бугров, К.Д. Мынбаев, С.И. Степанов, М.А. Одноблюдов, А.Е. Романов, В.И. Николаев, Светоизлучающие р–n структуры, выращенные хлорид-гидридной эпитаксией на структурированных подложках GaN/Al2O3, Физика и механика материалов, 2015, Т. 22, В. 1, стр.30-38

[56] Ш.Ш. Шарофидинов, А.А. Головатенко, И.П. Никитина, Н.В. Середова, М.Г. Мынбаева, В.Е.Бугров, М.А.Одноблюдов, С.И.Степанов, В.И. Николаев, Толстые эпитаксиальные слои нитрида галлия на кремниевой подложке, Физика и механика материалов, 2015, Т. 22, В. 1, стр. 53-58

[57] V.I. Nikolaev, A.I.Pechnikov, V.N. Maslov, A.A.Golovatenko, N.K. Zhumashev, V.M. Krymov, S.I. Stepanov, V.E. Bougrov, A.E. Romanov, GaN growth on beta-Gа2O3 substrate by HPVE, Физика и механика материалов, 2015, Т. 22, В. 1, стр. 59-63

[58] D.M. Artemiev, T.S. Orlova, V.E. Bougrov, M.A. Odnoblyudov, A. E. Romanov Modeling of threading dislocation density reduction in III-nitride porous layers, Journal of Electronic Materials, 2015, vol. 44, issue 5, pp. 1287-1292

[59] В.Н. Маслов, В.И. Николаев, В.М. Крымов, В.Е. Бугров, А.Е. Романов, Осаждение слоев β-Ga2O3 методом сублимации на сапфировые подложки различных ориентаций, Физика твердого тела, 2015, Т. 57, В. 7, стр. 1315-1319

[60] М.А. Швалева, Ю.В. Тузова, А.Е. Романов, В.А. Асеев, Н.В. Никоноров, К.Д. Мынбаев, В.Е. Бугров, Оптические и термические свойства люминофоров на основе свинцово-силикатного стекла для мощных белых светодиодов, Письма в Журнал Технической Физики, 2015, том 41, выпуск 21, с. 38-44.

Публикации












Новиков И.И., Гладышев А.Г., Гаджиев И.М., Егоров А.Ю., Карачинский Л.Я., Бугров В.Е., Буяло М.С., Бабичев А.В., Колодезный Е.С., Михайлов А.К., Курочкин А.С.Полупроводниковые лазерные диоды спектрального диапазона 1520-1580 нм для радиофотоники и телекоммуникаций//Сборник статей Пятой всероссийской конференции "Электроника и микроэлектроника СВЧ" - 2016. - Т. 2. - С. 302-306

Романов А.Е., Speck J.S., Бугров В.Е., Young E.C., Смирнов А.М.Релаксация напряжений несоответствия путем призматического скольжения дислокаций несоответствия в III-нитридных структурах//XXII Петербургские чтения по проблемам прочности к 110-летию со дня рождения академика С.Н. Журкова и 85-летию со дня рождения профессора В.А. Лихачева 12 – 14 апреля 2016 г. Санкт-Петербург. Сборник материалов - 2016. - С. 251-253







Bougrov V.E., Pechnikov A.I., Stepanov S.I., Nikolaev V.I., Romanov A.E., Maslov V.N., Krymov V.M.GaN growth on (100) beta-Ga2O3 substrates by HVPE//The International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials 2015, IET - 2015, pp. 132-133


Кистанкина М.А., Колодезный Е.С., Романов А.Е., Bougrov V.E.HEAT MANAGEMENT OF PHOSPHOR LAYERS WITH VARIOUS MATRICES IN HIGH POWER LEDs//The International Conference “Advanced Materials Week-2015” AMW 2015 Abstracts, IET - 2015, pp. 61

Shulga E., Romanov A.E., Bougrov V.E., Shvaleva M.A., Mynbaev K.D., Kink I.Liquid glass-based phosphor materials for white LEDs, IET - 2015

Smirnov A.M., Romanov A.E., Bougrov V.E., Speck J.S.Modeling misfit stress relaxation via non-basal dilocation in III-nitride semipolar layered structures//The International Conference "Advanced Materials Week-2015" June 15-21, 2015, Togliatti - St. Petersburg, Russia. Abstracts, IET - 2015, pp. 66



Shvaleva M.A., Shulga E., Bougrov V.E., Romanov A.E., Mynbaev K.D., Kink I.New type of liquid glass-based composite phosphor material for effective light conversion, IET - 2015



Bougrov V.E., Kalashnikov E.V., Nikolaev V.I., Pechnikov A.I., Krymov V.M., Romanov A.E., Maslov V.N.beta-Ga2O3 crystals grown from Ga2O3-Al2O3 melt//The International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials 2015, IET - 2015, pp. 128-129

Романов А.Е., Бугров В.Е., Шульга Е., Мынбаев К.Д., Кистанкина М.А., Кинк И.ИССЛЕДОВАНИЕ НОВОГО ЛЮМИНОФОРНОГО МАТЕРИАЛА НА ОСНОВЕ РАСТВОРА ЖИДКОГО СТЕКЛА Na2SiO3 ДЛЯ БЕЛЫХ СВЕТОДИОДОВ//Научная Литература - 2015. - С. 69-70


Бугров В.Е., Speck J.S., Романов А.Е., Young E.C., Смирнов А.М.Критические условия формирования дислокаций несоответствия путем призматического скольжения в плуполярных и неполярных III-нитридных гетероструктурах//Неделя науки СПбПУ. Материалы научного форума с международным участием. 30 ноября - 5 декабря. Институт Прикладной Математики и Механики - 2015. - С. 128-129






Кистанкина М.А., Бугров В.Е., Колодезный Е.С., Серебрякова В.С., Романов А.Е.Теплообмен в люминофорсодержащих слоях с различными матрицами в структуре мощных светодиодов//Научная Литература - 2015. - С. 67-68


Vinogradova K.A., Mynbaev K.D., Odnoblyudov M.A., Kovsh A.R., Bougrov V.E.Active Chip-on-Board Modules for Special Spectra Devices: Technology and Control "The 9th International Conference on Optics-photonics Design and Fabrication"//The 9th International Conference on Optics-photonics Design and Fabrication. Book of Abstracts, IET - 2014, pp. 351-352




Bougrov V.E., Tuzova J.V., Shvaleva M.A., Nikonorov N.V., Mynbaev K.D., Aseev V.A., Ivukin I.N.New Luminescent Phosphor-in-Glass Composite for White Light-Emitting Diodes, IET - 2014

Romanov A.E., Kolesnikova A.L., Orlova T.S., Hussainova I., Bougrov V.E., Valiev R.Z. Non-equilibrium grain boundaries with exess energy in graphene Disclination modeling of grain boundaries in graphene // Acta Materialia - 2014

Kovsh A.R., Bougrov V.E., Mynbaev K.D., Odnoblyudov M.A., Vinogradova K.A., Romanov A.E., Nikolaev V.I.Powerful Ultraviolet Chip-on-Board Modules for Medical Applications: Improvements in Technology and Characteristics "The 9th International Conference on Optics-photonics Design and Fabrication"//The 9th International Conference on Optics-photonics Design and Fabrication. Book of Abstracts, IET - 2014, pp. 353-354





Артемьев Д.М., Орлова Т.С., Бугров В.Е., Одноблюдов М.А., Романов А.Е. Реакционно- кинетическая модель уменьшения плотности проникающих дислокаций в пористом слое GaN // XXI Петербургские чтения по проблемам прочности. К 100-летию со дня рождения Л.М.Качанова и Ю.Н. Работнова - 2014. - С. 98-100


Бугров В.Е., Бугров В.Е."Пути увеличения эффективности мощных светодиодных сборок "чип на плате" - 2013

"Физические основы оптимизации нитридных полупроводниковых гетероструктур для их применения в высокоэффективных светодиодных устройствах"

Никулина Л.А., Бугров В.Е., Ковш А.Р., Романов А.Е., Липницкая С.Н., Мынбаев К.Д., Крамник В.В., Одноблюдов М.А.Design optimization of light emitting diode module «CHIP-ON-BOARD» for light extraction increase//Conference Proceedings "12th International Conference on Laser and Fiber-Optical Networks Modeling LFNM’ 2013" - 2013. - С. 87-89


Середова Н.В., Bougrov V.E., Odnoblyudov M.A., Мынбаева М.Г., Никитина И.П., Golovatenko A.A., Николаев В.И.Influence of Nanocolumns Properties on Self-Separation Process of Thick GaN Layers Grown by HVPE//10th International Conference on Nitride Semiconductors. Book of Abstracts. Symposium A., IET - 2013, pp. 108

Бугров В.Е.LED influence on human eyes, IET - 2013


Orlova T.S., Kovsh A.R., Romanov A.E., Bougrov V.E., Artemiev D.M., Odnoblyudov M.A.Reaction-kinetics model for threading dislocation density reduction in GaN porous layer//Book of Abstracts International Conference on Defects in Semiconductors ICDS27, IET - 2013, pp. 234

Vinogradova K.A., Nikulina L.A., Braslavskii S.S., Solovieva E.A., Mynbaev K.D., Nikolaev V.I., Romanov A.E., Bugrov V.E. Temperature stability of colored LED elements // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics - 2013, Vol. 18, No. 2, pp. 143–147



Бугров В.Е., Одноблюдов М.А., Романов А.Е., Мынбаев К.Д., Липницкая С.Н., Никулина Л.А., Рамхен Й.Исследование вывода света из светодиодного модуля chip-on-board//Тезисы докладов 9-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы» - 2013. - С. 174-175

Романов А.Е., Ковш А.Р., Ивукин И.Н., Белов А.Ю., Бугров В.Е., Одноблюдов М.А.Исследование радиаторов из теплопроводящих пластиков для ретрофитных светодиодных устройств//Международная научно-практическая конференция "Свет Петербурга" - 2013. - С. 9-10

Ивукин И.Н., Бугров В.Е., Одноблюдов М.А., Романов А.Е., Ковш А.Р.Исследование теплообмена в тонких слоях люминофора светодиодных модулей//Тезисы докладов 9-й Всероссийской конференции "Нитриды галлия, индия и алюминия - структуры и приборы" - 2013. - С. 154-155

Ивукин И.Н., Бугров В.Е., Ковш А.Р., Одноблюдов М.А., Шалковский А.Г., Романов А.Е. Моделирование теплообмена и оптимизация свойств материалов пластиковых радиаторов ретрофитных светодиодных ламп [Heat transfer simulation and retrofit led lamp plastic heat sink material optimization] // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics - 2013. - Т. 17. - № 2. - С. 178-182

Серебрякова В.С., Кистанкина М.А., Нисимов С.У., Романов А.Е., Бугров В.Е., Мынбаев К.Д., Коротаев В.В.Новая образовательная программа в области твердотельного освещения//Международная научно-практическая конференция "Свет Петербурга" - 2013. - С. 16-17


Рамхен Й., Мынбаев К.Д., Бугров В.Е., Романов А.Е., Одноблюдов М.А., Липницкая С.Н., Ковш А.Р., Никулина Л.А.Оптимизация конструкции светодиодного модуля Chip-On-Board с целью увеличения светоотдачи//Первая международная выставка-конференция "Свет Петербурга" Сборник Тезисов - 2013. - С. 12-13


Виноградова К.А., Липницкая С.Н., Бугров В.Е.Оптоэлектроника светодиодов. Лабораторный практикум - 2013


Романов А.Е., Одноблюдов М.А., Ковш А.Р., Кистанкина М.А., Бугров В.Е., Мынбаев К.Д.Разработка перспективных композитных люминофорных материалов на основе неорганических матриц//Тезисы докладов 9-й Всероссийской конференции "Нитриды галлия, индия и алюминия - структуры и приборы" - 2013. - С. 249-250


Одноблюдов М.А., Романов А.Е., Бугров В.Е., Артемьев Д.М.Уменьшение остаточных механических напряжений в подложках GaN/сапфир за счет формирования промежуточного слоя наноколонок//Тезисы докладов 9-й Всероссийской конференции "Нитриды галлия, индия и алюминия - структуры и приборы" - 2013. - С. 263-264

Бугров В.Е.Физические основы оптимизации нитридных полупроводниковых гетероструктур для их применения в высокоэффективных светодиодных устройствах,//Тезисы докладов 9-й Всероссийской конференции "Нитриды галлия, индия и алюминия - структуры и приборы" - 2013. - С. 90-93

Бугров В.Е., Виноградова К.А.Физические основы светодиодной техники - 2013

Суслов С.С., Бугров В.Е., Романов А.Е., Одноблюдов М.А. Modelling and optimization of electric current spreading in III-nitride LEDs // Physica Status Solidi - 2012, Vol. 9, No. 3-4, pp. 1105–1108


Артемьев Д.М., Бугров В.Е., Романов А.Е., Ивукин И.Н., Одноблюдов М.А. Моделирование напряженно-деформированного состояния в тонких структурированных пленках нитрида галлия на сапфировых подложках // Физика твердого тела - 2012. - Т. 54. - № 12. - С. 2294-2297

Бугров В.Е., Виноградова К.А., Одноблюдов М.А., Романов А.Е., Виноградова К.А., Одноблюдов М.А., Суслов С.С. Параметрическое моделирование светоизлучающих структур на основе III-нитридов // Физика и механика материалов - 2012. - Т. 14. - № 1. - С. 78-86

Романов А.Е., Виноградова К.А., Одноблюдов М.А., Бугров В.Е. Параметрическое моделирование светоизлучающих структур на основе III-нитридов // Физика и механика материалов - 2012. - Т. 14. - № 1

Ali M., Romanov A.E., Suihkonen S., Svensk O., Torma P., Sopanen M., Lipsanen H.K., Odnoblyudov M.A., Bougrov V.E. Void shape control in GaN re-grown on hexagonally patterned, mask-less GaN // Journal of Crystal Growth - 2011, Vol. 315, No. 1, pp. 188-191

Романов А.Е., Одноблюдов М.А., Ковш А.Р., Бугров В.Е., Николаев В.И. Высококачественные подложки GaN для современной светодиодной индустрии // Полупроводниковая светотехника - 2011. - Т. 5. - № 13. - С. 34-37

Бугров В.Е., Николаев В., Одноблюдов М., Романов А., Ковш А. Романов Высококачественные подложки GaN для современной светодиодной индустрии // Полупроводниковая Светотехника - 2011. - № 5. - С. 30-33

Bougrov V.E., Kovsh A.R., Odnoblyudov M.A., Romanov A.E. High quality GaN substrates for modern LED technology // LED Professional Review - 2010, Vol. 18, pp. 42-49

Torma P., Ali M., Svensk O., Suihkonen S., Sopanen M., Lipsanen H.K., Mulot M., Odnoblyudov M.A., Bougrov V.E. InGaN-based 405 nm near-ultraviolet light emitting diodes on pillar patterned sapphire substrates // CrystEngComm - 2010, Vol. 12, No. 10, pp. 3152-3156

Публикации в репозитории Университета ИТМО

Жумашев Н. К., Мынбаев К. Д., Баженов Н. Л., Стоянов Н. Д., Кижаев С. С., Гурина Т. И., Астахова А. П., Черняев А. В., Молчанов С. С., Липсанен Х. К., Салихов Х. М., Бугров В. Е.
СПЕКТРАЛЬНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ СВЕТОДИОДОВ СРЕДНЕГО ИНФРАКРАСНОГО ДИАПАЗОНА НА ОСНОВЕ InAs(Sb,P)
Статья опубликована Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики в выпуске 1(101) за 2016 г.

Подосинников А. И., Романова Г. Э., Щеглов С. А., Перетягин В. С., Мынбаев К. Д., Липсанен Х. К., Бугров В. Е.
МОДЕЛИРОВАНИЕ И ИССЛЕДОВАНИЕ КРАЕВОГО ЭФФЕКТА ПРИ РАБОТЕ С ТРЕХКРИСТАЛЬНЫМИ RGB-СВЕТОДИОДАМИ
Статья опубликована Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики в выпуске 2(96) за 2015 г.

Фудин М. С., Мынбаев К. Д., Липсанен Х. К., Айфантис К. Е., Бугров В. Е., Романов А. Е.
ЧАСТОТНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ СОВРЕМЕННЫХ СВЕТОДИОДНЫХ ЛЮМИНОФОРНЫХ МАТЕРИАЛОВ
Статья опубликована Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики в выпуске 6(94) за 2014 г.

Липницкая С. , Мынбаев К. Д., Никулина Л. , Бугров В. Е., Ковш А. Р., Одноблюдов М. А., Романов А. Е.
ПОВЫШЕНИЕ ЭФФЕКТИВНОСТИ ВЫВОДА СВЕТА ИЗ СВЕТОДИОДНЫХ МОДУЛЕЙ “CHIP-ON-BOARD”
Статья опубликована «Оптический журнал» в выпуске 12(80) за 2013 г.

Виноградова К. А., Бугров В. Е., Ковш А. Р., Одноблюдов М. А., Николаев В. И., Романов А. Е.
ДЕГРАДАЦИЯ БЕЛЫХ И СИНИХ СВЕТОДИОДОВ ПРИ ДЛИТЕЛЬНОМ ВРЕМЕНИ РАБОТЫ
Статья опубликована ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ «ПРИБОРОСТРОЕНИЕ» в выпуске 11(56) за 2013 г.

Ивукин И. Н., Белов А. Ю., Бугров В. Е., Ковш А. Р., Одноблюдов М. А., Романов А. Е.
ОПТИМИЗАЦИЯ РАДИАТОРА РЕТРОФИТНОЙ СВЕТОДИОДНОЙ ЛАМПЫ
Статья опубликована ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ «ПРИБОРОСТРОЕНИЕ» в выпуске 11(56) за 2013 г.

Проекты

Разработка компонентной базы радиофотоники для создания современных оптических аналогово-цифровых преобразователей
09/04/2015 - 12/31/2017

Фундаментальные исследования процессов взаимодействия излучения с новыми функциональными,конструкционными и биологическими материалами
09/01/2015 - 08/31/2018

Кристаллы и структуры на основе оксида и нитрида галлия для светодиодов УФ и видимого диапазонов
01/01/2014 - 12/31/2014

Разработка и исследование перспективных композитных электро- и теплопроводящих материалов и покрытий, обладающих улучшенными функциональными свойствами.
01/01/2014 - 12/31/2014