Перейти к содержимому страницы.

Бугров Владислав Евгеньевич EnEnglish

Владислав Евгеньевич Бугров - доцент, доктор физ.-мат. наук, лауреат премии Правительства РФ в области науки и техники 2012 года, директор мегафакультета фотоники, заведующий кафедрой световых технологий и оптоэлектроники Университета ИТМО, сотрудник международного научного центра функциональных материалов и устройств оптоэлектроники и электроники, член диссертационного совета, член комитета Партнериата, член комитета по инновационной деятельности и внедрению технологий, является членом комиссии наноматериалы и нанотехнологии, член научно-технического совета, членом ректората,  членом Президиума Ученого совета.

 

Образование и трудовой путь

В 1996 году с отличием окончил кафедру оптоэлектроники (под руководством Нобелевского лауреата Ж.И. Алферова) Санкт-Петербургского государственного электротехнического университета имени В.И. Ульянова (Ленина) по специальности «Оптические приборы и системы». За время обучения В.Е. Бугров более 10 раз становился лауреатом российских и международных премий. В 1999 году в ФТИ им. А.Ф. Иоффе защитил диссертацию на тему «Теоретическое исследование оптических свойств полупроводниковых лазерных структур на основе нитридов металлов III группы»; присвоена степень кандидата физико-математических наук. В 2013 году также в ФТИ им. А.Ф. Иоффе защитил докторскую диссертацию на тему «Физические основы оптимизации нитридных полупроводниковых гетероструктур для их применения в высокоэффективных светодиодных устройствах» в Диссертационном Совете при Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе РАН, г. Санкт-Петербург; присуждена степень доктора физико-математических наук. В 2013 году стал лауреатом премии Правительства РФ в области науки и техники за 2012 год.

С 1994 по 2004 годы занимался развитием технологии получения светодиодных приборов на основе нитридов металлов III группы в лидирующих мировых светодиодных компаниях Cree (США), TDI (США) и Arima Optoelectronics (Тайвань). В 2004 году стал одним из основателей Оптоган. Проработал в разных должностях компании до 2013 года, в том числе с 2010 по 2013 год был генеральным директором производственного подразделения компании – завода компании в Санкт-Петербурге.

 

Общественная деятельность

С сентября 2012 г. – член Экспертной коллегии Фонда «Сколково».

С ноября 2013 г. – член Экспертной группы Научно-координационного совета ФЦП "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технического комплекса России на 2014-2020 годы" по приоритетному направлению "Индустрия наносистем".

С сентября 2014 г. – член рабочей группы научно-технического совета Военно-промышленной комиссии при Правительстве Российской Федерации по проблемным вопросам развития радиофотоники.

 

Педагогическая деятельность

Входит в состав федерального учебно-методического объединения вузов по укрупненной группе специальностей и направлений подготовки в системе высшего образования 12.00.00 Фотоника, приборостроение, оптические, биотехнические системы и технологии. Руководитель направления подготовки «Оптотехника» (бакалавриат, магистратура).

Руководит образовательной магистерской программой «Светодиодные технологии» в Университете ИТМО. Возглавляет проект по разработке образовательной магистерской программы «Светодиодные технологии» по направлению подготовки 200400-Оптотехника Фонда инфраструктурных и образовательных программ ОАО «РОСНАНО».

Руководит аспирантами и магистрантами.

Дисциплины профессионального цикла подготовки:

- «Оптоэлектроника светодиодов»

- «Физические основы светодиодной техники»

- «Элементы теории твердого тела и кристаллографии»

 

Научная деятельность

Главные направления научных исследований включают в себя комплексное улучшение свойств нитридных полупроводниковых гетероструктур и приборов, созданных на их основе, моделирование и оптимизацию структурных свойств светодиодных материалов и светодиодных устройств, а также других приборов современных оптоэлектроники, оптотехники и радиофотоники.

Научные интересы включают в себя также изучение современных материалов с уникальными оптическими и тепловыми свойствами, композитные материалы, наноструктуры на основе углерода, прозрачные оксиды, подложки на основе монокристаллов оксида галлия.

Был руководителем нескольких международных научных проектов, в частности, с фондом Tekes, а также руководил и участвовал в исполнении нескольких грантов РФФИ, проектов фонда Сколково, и госконтрактов Минобрнауки РФ.

Является автором более 80 опубликованных научных работ, автором 30 международных и 6 российских полученных патентов, а также более 100 патентных заявок.

Индекс Хирша согласно Web of Science: 11

 

Перечень избранных публикаций, включенных в международные перечни Web of Science / Scopus:

[1] Bougrov V.E., Zubrilov A.S., Computer simulation of optical confinement in III-V nitride double heterostructures, Inst. Phys. Conf. Ser., Vol. 142, Is. 6, 1996, pp. 1007-1010

[2] Бугров В.Е., Зубрилов А.С., Волноводные свойства гетероструктур на основе нитридов галлия, алюминия и индия, Физика и Техника Полупроводников, Т. 31, В. 1, 1997, стр. 63–67

[3] Зубрилов А.С., Мельник Ю.В., Цветков Д.В., Бугров В.Е., Николаев А.Е., Степанов С.И., Дмитриев В.А., Люминесцентные свойства слоев нитрида галлия, выращенных газофазной эпитаксией в хлоридной системе на подложках карбида кремния, Физика и Техника Полупроводников, Т. 31, В. 6, 1997, стр. 616–620

[4] Bougrov V.E., Zubrilov A.S., Optical confinement and threshold currents in III-V nitride heterostructures: Simulation, J. Appl. Phys., Vol. 81, Is. 7, 1997, pp. 2952-2956

[5] Sukhoveyev V., Ivantsov V., Zubrilov A., Nikolaev V., Nikitina I., Bougrov V., Tsvetkov D., Dmitriev V., Crystal structure and optical properties of bulk GaN crystals grown from a melt at reduced pressure, Mater. Sci. Forum, Vols. 264-268, 1998, pp. 1331–1334

[6] Бугров В.Е., Константинов О.В., Учет кулоновского взаимодействия электронов и дырок в квантовых точках на основе InGaN, Физика и Техника Полупроводников, Т. 32, В. 10, 1998, стр. 1235-1239

[7] Rebane Y.T., Shreter Y.G., Yavich B.S., Bougrov V.E., Stepanov S.I., Wang W.N., Light emitting diode with charge asymmetric resonance tunneling, Physica Status Solidi (a), Vol. 180, Is. 1, 2000, pp. 121-126

[8] Stepanov S., Wang W.N., Yavich B.S., Bougrov V., Rebane Y.T., Shreter Y.G., Influence of Poisson's ratio uncertainty on calculations of the bowing parameter for strained InGaN layers, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res., Vol. 6, Art. 6, 2001

[9] Wang P.J., Bougrov V.E., Rebane Y.T., Shreter Y.G., Stepanov S.I., Tseng L., Yavich B.S., Wang W.N., III-nitride efficient LEDs, Proceedings of SPIE, Vol. 4445, 2001, pp. 99-110

[10] Bougrov V., Levinshtein M., Rumyantsev S.L., Zubrilov A., Chapter 1 (Gallium Nitride) in: "Properties of Advanced Semiconductor Materials: GaN, AIN, InN, BN, SiC, SiGe", John Wiley & Sons, Inc. NY-Chichester-Weinheim-Brisbane-Singapore-Toronto, 2002

[11] Rebane Y.T., Bochkareva N.I., Bougrov V.E., Tarkhin D.V., Shreter Y.G., Girnov A.E., Stepanov S.I., Wang W.N., Chang P.T., Wang P.J., Degradation and transient currents in III-Nitride LEDs, Proceedings of SPIE, Vol. 4996, 2003, pp. 113-124

[12] Lang T., Odnoblyudov M., Bougrov V., Sopanen M., MOCVD growth of GaN islands by multistep nucleation layer technique, Journal of Crystal Growth, Vol. 277, Is. 1–4, 2005, pp. 64-71

[13] Bougrov V.E., Odnoblyudov M.A., Romanov A.E., Lang T., Konstantinov O.V., Threading dislocation density reduction in two-stage growth of GaN layers, Physica Status Solidi (a), Vol. 203, Is. 4, 2006, pp. R25-R27

[14] Lang T., Odnoblyudov M.A., Bougrov V.E., Romanov A.E., Suihkonen S., Sopanen M., Lipsanen H., Multistep method of threading dislocation density reduction in MOCVD grown GaN epilayers, Physica Status Solidi (a), Vol. 203, Is. 10, 2006, pp. R76-R78

[15] Lang T., Odnoblyudov M., Bougrov V., Suihkonen S., Sopanen M., Lipsanen H., Morphology optimization of MOCVD grown GaN nucleation layers by the multistep technique, Journal of Crystal Growth, Vol. 292, Is. 1, 2006, pp. 26-32

[16] Suihkonen S., Lang T., Svensk O., Sormunen J., Törmä P.T., Sopanen M., Lipsanen H., Odnoblyudov M.A., Bougrov V.E., Control of the morphology of InGaN/GaN quantum wells grown by metalorganic chemical vapor deposition, Journal of Crystal Growth, Vol. 300, Is. 2, 2007, pp. 324–329

[17] Ситникова А.А., Конников С.Г., Кириленко Д.А., Мынбаева М.Г., Одноблюдов М.А., Бугров В.Е., Ланг Т., Исследование методом просвечивающей электронной микроскопии структуры эпитаксиальных пленок нитрида галлия, выращенных на подложках с различной морфологией границы раздела, Поверхность, Т. 43, В. 5, 2007, cтр. 51–55

[18] Lang T., Odnoblyudov M.A., Bougrov V.E., Suihkonen S., Svensk O., Törmä P.T, Sopanen M, Lipsanen H., Reduction of threading dislocation density in Al0.12Ga0.88N epilayers by a multistep technique, Journal of Crystal Growth, Vol. 298, 2007, pp. 276-280

[19] Suihkonen S., Svensk O., Lang T., Lipsanen H., Odnoblyudov M.A., Bougrov V.E., The effect of InGaNGaN MQW hydrogen treatment on threading dislocation optimization on GaN LED efficiency, Journal of Crystal Growth, Vol. 298, 2007, pp. 740–743

[20] Svensk O., Suihkonen S., Lang T., Lipsanen H., Sopanen M., Odnoblyudov M.A., Bougrov V.E., Effect of growth conditions on electrical properties of Mg-doped p-GaN, Journal of Crystal Growth, Vol. 298, 2007, pp. 811-814

[21] Lankinen A., Lang T., Suihkonen S., Svensk O., Säynätjoki A., Tuomi T.O., McNally P.J., Odnoblyudov M., Bougrov V., Danilewsky A.N., Bergman P., Simon R., Dislocations at the interface between sapphire and GaN, J. Mater. Sci.: Mater. Electron., Vol. 19, Is. 2, 2008, pp. 143-148

[22] Svensk O., Törmä P.T., Suihkonen S., Ali M., Lipsanen H., Sopanen M., Odnoblyudov M.A., Bougrov V.E., Enhanced electroluminescence in 405 nm InGaN/GaN LEDs by optimized electron blocking layer, Journal of Crystal Growth, Vol. 310, Is. 23, 2008, pp. 5154-5157

[23] Törmä P.T., Svensk O., Ali M., Suihkonen S., Sopanen M., Odnoblyudov M.A., Bougrov V.E., Effect of InGaN underneath layer on MOVPE-grown InGaN/GaN blue LEDs, Journal of Crystal Growth, Vol. 310, Is. 23, 2008, pp. 5162-5165

[24] Suihkonen S., Svensk O., Törmä P.T., Ali M., Sopanen M., Lipsanen H., Odnoblyudov M.A., Bougrov V.E., MOVPE growth and characterization of InAlGaN films and InGaN/InAlGaN MQW structures, Journal of Crystal Growth, Vol. 310, Is. 7-9, 2008, pp. 1777-1780

[25] Törmä P.T., Ali M., Svensk O., Sintonen S., Kostamo P., Sopanen M., Lipsanen H., Odnoblyudov M.A., Bougrov V.E., An investigation of structural properties of GaN films grown on patterned sapphire substrates by MOVPE, Physica B: Cond. Matter, Vol. 404, Is. 23-24, 2009, pp. 4911-4915

[26] Törmä P.T., Svensk O., Ali M., Suihkonen S., Sopanen M., Odnoblyudov M.A., Bougrov V.E., Maskless roughening of sapphire substrates for enhanced light extraction of nitride based blue LEDs, Sol. State Electron., Vol. 53, Is. 2, 2009, pp. 166-169

[27] Bougrov V.E., Kovsh A.R., Odnoblyudov M.A., Romanov A.E., High quality GaN substrates for modern LED technology, LED Professional Review, Is. 18, 2010, pp. 42-49

[28] Törmä P.T., Ali M., Svensk O., Suihkonen S., Sopanen M., Lipsanen H., Mulot M., Odnoblyudov M.A., Bougrov V.E., InGaN-based 405 nm near-ultraviolet light emitting diodes on pillar patterned sapphire substrates, CrystEngComm, Vol. 12, Is. 10, 2010, pp. 3152-3156

[29] Ali M., Romanov A.E., Suihkonen S., Svensk O., Törmä P.T., Sopanen M., Lipsanen H., Odnoblyudov M.A., Bougrov V.E., Void shape control in GaN re-grown on hexagonally patterned, mask-less GaN, Journal of Crystal Growth, Vol. 315, Is. 1, 2011, pp. 188-191

[30] Ковш А., Николаев В., Одноблюдов М., Романов А., Высококачественные подложки GaN для современной светодиодной индустрии, Полупроводниковая Светотехника, № 5, 2011, стр. 30-33

[31] Ivukin I.N., Bougrov V.E., Odnoblyudov M.A., Romanov A.E., Reduction of mechanical stresses in GaN/sapphire templates via formation of regular porous structure, Physica Status Solidi (c), Vol. 9, Is. 3-4, 2012, pp.1057-1059

[32] Suslov S.S., Bougrov V.E., Odnoblyudov M.A., Romanov A.E., Modelling and optimization of electric current spreading in III-nitride LEDs, Physica Status Solidi (c), Vol. 9, Is. 3-4, 2012, pp. 1105-1108

[33] Ali M., Romanov A.E., Suihkonen S., Svensk O., Sintonen S., Sopanen M., Lipsanen H., Nevedomsky V.N., Bert N.A., Odnoblyudov M.A., Bougrov V.E., Analysis of threading dislocations in void shape controlled GaN re-grown on hexagonally patterned mask-less GaN, Journal of Crystal Growth, Vol. 344, Is. 1, 2012, pp. 59-64

[34] Суслов С.С., Виноградова К.А., Бугров В.Е., Одноблюдов М.А., Романов А.Е., Параметрическое моделирование светоизлучающих структур на основе III-нитридов, Физика и механика материалов, Т. 14, В. 1, 2012, стр. 78-86

[35] Ивукин И.Н., Артемьев Д.М., Бугров В.Е., Одноблюдов М.А., Романов А.Е., Моделирование напряженно-деформированного состояния в тонких структурированных пленках нитрида галлия на сапфировых подложках, Физика Твердого Тела, Т. 54, В. 12, 2012, стр. 2102-2105

[36] Ali M., Svensk O., Riuttanen L., Kruse M., Suihkonen S., Romanov A.E., Törmä P.T., Sopanen M., Lipsanen H., Odnoblyudov M.A., Bougrov V.E., Enhancement of near-UV GaN LED light extraction efficiency by GaN/sapphire template patterning, Semiconductor Science and Technology, Vol. 27, Is. 8, Art. 082002, 2012, pp. 1-5

[37] D.M. Artemiev, V. E. Bougrov, M. A. Odnoblyudov, A.E. Romanov, Mechanical stress control in GaN films on sapphire substrate via patterned nanocolumn interlayer formation, Physica Status Solidi C, Vol. 10, Is. 1, 2013, pp. 89–92

[38] К.А. Виноградова, С.Н. Липницкая, К.Д. Мынбаев, В.Е. Бугров, А.Р. Ковш, М.А. Одноблюдов, В.И. Николаев, А.Е. Романов, Оптимизация вывода света из мощных светодиодных сборок "чип на плате", излучающих в ультрафиолетовом диапазоне длин волн, Физика и механика материалов, Т. 17, В. 2, 2013, стр. 111-120

[39] С.Н. Липницкая, К.Д. Мынбаев, В.Е. Бугров, А.Р. Ковш, М.А. Одноблюдов, А.Е. Романов, Влияние светорассеяния в оптических покрытиях на потери энергии в светодиодных устройствах, Письма в журнал технической физики, Т. 39, В. 24, 2013, стр. 1-8

[40] И.Н. Ивукин, В.Е. Бугров, А.Р. Ковш, М.А. Одноблюдов, А.Г. Шалковский, А.Е. Романов, Моделирование теплообмена и оптимизация свойств материалов пластиковых радиаторов ретрофитных светодиодных ламп, Физика и механика материалов, Т. 17, В. 2, 2013, стр. 178-182

[41] С. Н. Липницкая, К. Д. Мынбаев, В. В. Крамник, Л. А. Никулина, В. Е. Бугров, А. Р. Ковш, М. А. Одноблюдов, А. Е. Романов, Повышение эффективности вывода света из светодиодных модулей «CHIP-ON-BOARD», Оптический журнал, Т. 80, В. 12, 2013, стр. 45-52

[42] И. Н. Ивукин, А. Ю. Белов, В. Е. Бугров, А. Р. Ковш, М. А. Одноблюдов, А. Е. Романов, Оптимизация радиатора ретрофитной светодиодной лампы, Известия вузов. Приборостроение, Т. 56, В. 11, 2013, стр.83-87

[43] К.А. Виноградова, В.Е. Бугров, А.Р. Ковш, М.А. Одноблюдов, В.И. Николаев, А.Е. Романов, Деградация белых и синих светодиодов при длительном времени работы, Известия вузов. Приборостроение, 2013, Т. 56, В. 11, стр. 87-91

[44] К.А. Виноградова, Л.А. Никулина, К.Д. Мынбаев, А.Р. Ковш, М.А. Одноблюдов, В.И. Николаев, В.Е. Бугров, Сравнение эффективности светодиодных излучателей на основе монохромных чипов и чипов с люминофором,  Физика и механика материалов, Т. 18, В. 2, 2013, стр. 135-142

[45] К.А. Виноградова, Л.А. Никулина, С.С. Браславский, Е.А. Соловьева, К.Д. Мынбаев, В.И. Николаев, А.Е. Романов, В.Е. Бугров, Temperature stability of colored LED elements, Физика и механика материалов, Т. 18, В. 2, 2013, стр. 143-147

[46] S.N. Lipnitskaya, V. E. Bugrov, A. R. Kovsh, M. A. Odnoblyudov, K. D. Mynbaev, L. A. Nikulina, and A. E. Romanov, Increasing the light-output efficiency from chip-on-board LED modules, J. Opt. Technol. Vol. 80, Is. 12, 2013, , pp. 751-755

[47] V.I. Nikolaev, A.A. Golovatenko, M.G. Mynbaeva, I.P. Nikitina, N.V. Seredova, A.I. Pechnikov, V.E. Bougrov, M.A.  Odnobludov, Effect of nano–column properties on self-separation of thick GaN layers grown by HVPE, Physica status solidi С, Vol. 11, Is. 3-4, 2014, pp.502-504

[48] D.M. Artemiev, T.S. Orlova, V.E. Bougrov, M.A. Odnoblyudov, A.E. Romanov, Reaction-kinetics model for threading dislocation density reduction in GaN porous layer, AIP Conference Proceedings, Vol. 1583, 2014, pp. 310-314

[49] С.Н. Липницкая, К.Д. Мынбаев, Л.А. Никулина, В.Е Бугров, А.Р. Ковш, М.А. Одноблюдов, А.Е. Романов, Исследование вывода света из светодиодного модуля CHIP-ON-BOARD, Ученые записки физического факультета МГУ, 2014, В 2, 142402, 142402-1 – 14202-5

[50] M.A. Shvaleva, L.A. Nikulina, V.A. Aseev, K.D. Mynbaev, V.E. Bougrov, A.R. Kovsh, M.A. Odnoblyudov, N.V. Nikonorov, A.E. Romanov, Ce3+:YAG Doped Glass-Ceramics For Energy-Saving White Light-Emitting Diode, Optical Review, Vol. 21, Is. 5, 2014, pp. 683-686

[51] В. А. Асеев, А.Ю. Бибик, Е.В. Колобкова, Я.А. Некрасова, Н.В. Никоноров, В.Е. Бугров, А. Е. Романов, Ю.В. Тузова, М.А. Швалева, Неорганический композит «стекло-люминофор» на основе высокопреломляющей свинцово- силикатной матрицы для белых светодиодов, Физика и механика материалов, 2014, Т. 21, В. 3, стр. 242-247

[52] S. Lipnitskaya, K. Mynbaev, L. Nikulina, V. Kramnik, V. Bougrov, A. Kovsh, M. Odnoblyudov, A. Romanov, Investigation of light extraction from light emitting module chip-on-board, Optical Review, 2014, Vol. 21, Is. 5, pp. 655-658

[53] Е.С. Колодезный, И.Н. Ивукин, В.С. Серебрякова, В.Е. Бугров, А.Е. Романов, Thermal analysis of phosphor containing silicone layer in high power LEDs, Физика и механика материалов, 2014, Т. 21, В. 3, стр. 283-287

[54] A.E. Romanov, A.L. Kolesnikova, T.S. Orlova, I. Hussainova, V.E. Bougrov, R.Z. Valiev, Non-equilibrium grain boundaries with excess energy in graphene, Carbon, 2015, vol. 81, No 1, pp. 223-231

[55] М.Г. Мынбаева, А.И. Печников, Ш.Ш. Шарофидинов, В.Е. Бугров, К.Д. Мынбаев, С.И. Степанов, М.А. Одноблюдов, А.Е. Романов, В.И. Николаев, Светоизлучающие р–n структуры, выращенные хлорид-гидридной эпитаксией на структурированных подложках GaN/Al2O3, Физика и механика материалов, 2015, Т. 22, В. 1, стр.30-38

[56] Ш.Ш. Шарофидинов, А.А. Головатенко, И.П. Никитина, Н.В. Середова, М.Г. Мынбаева, В.Е.Бугров, М.А.Одноблюдов, С.И.Степанов, В.И. Николаев, Толстые эпитаксиальные слои нитрида галлия на кремниевой подложке, Физика и механика материалов, 2015, Т. 22, В. 1, стр. 53-58

[57] V.I. Nikolaev, A.I.Pechnikov, V.N. Maslov, A.A.Golovatenko, N.K. Zhumashev, V.M. Krymov, S.I. Stepanov, V.E. Bougrov, A.E. Romanov, GaN growth on beta-Gа2O3 substrate by HPVE, Физика и механика материалов, 2015, Т. 22, В. 1, стр. 59-63

[58] D.M. Artemiev, T.S. Orlova, V.E. Bougrov, M.A. Odnoblyudov, A. E. Romanov Modeling of threading dislocation density reduction in III-nitride porous layers, Journal of Electronic Materials, 2015, vol. 44, issue 5, pp. 1287-1292

[59] В.Н. Маслов, В.И. Николаев, В.М. Крымов, В.Е. Бугров, А.Е. Романов, Осаждение слоев β-Ga2O3 методом сублимации на сапфировые подложки различных ориентаций, Физика твердого тела, 2015, Т. 57, В. 7, стр. 1315-1319

[60] М.А. Швалева, Ю.В. Тузова, А.Е. Романов, В.А. Асеев, Н.В. Никоноров, К.Д. Мынбаев, В.Е. Бугров, Оптические и термические свойства люминофоров на основе свинцово-силикатного стекла для мощных белых светодиодов, Письма в Журнал Технической Физики, 2015, том 41, выпуск 21, с. 38-44.

Публикации

Kremleva A.V., Kirilenko D.A., Nikolaev V.I., Pechnikov A.I., Stepanov S.L., Odnoblyudov M.A., Bougrov V.E., Romanov A.E.

Defects in thin epitaxial layers of (AlхGa1-х)2O3 grown on Al2O3 substrates//Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics, IET - 2017, Vol. 32, No. 2, pp. 178-185 Подробнее

Петров А.Б., Котова Е.И., Одноблюдов М.А., Бугров В.Е., Филиппов В.Н., Федотов А.И.

АКТИВНЫЕ ТЕЙПЕРИРОВАННЫЕ ВОЛОКНА, ЛЕГИРОВАННЫЕ ИТТЕРБИЕМ, КАК МЕТОД ПРЕОБРАЗОВАНИЯ М2-ХАРАКТЕРИСТИКИ ИЗЛУЧЕНИЯ МОЩНЫХ ДИОДНЫХ ЛАЗЕРОВ//ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ И НАНОСТРУКТУР, ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ОПТО- И НАНОЭЛЕКТРОНИКА: Тезисы докладов 19-й Всероссийской молодежной конференции - 2017. - С. 111

Kozyreva O., Solov'Ev V.V., Polukhin I.S., Mikhailov A.K., Mikhailovskiy G.A., Odnoblyudov M.A., Gareev E.Z., Kolodeznyi E.S., Novikov I.I., Karachinsky L.Y., Egorov A.Y., Bougrov V.E.

High-speed 1.3 -1.55 um InGaAs/InP PIN photodetector for microwave photonics//Journal of Physics: Conference Series, IET - 2017, Vol. 917, No. 5, pp. 052029 Подробнее

Колодезный Е.С., Новиков И.И., Бабичев А.В., Курочкин А.С., Гладышев А.Г., Карачинский Л.Я., Гаджиев И.М., Буяло М.С., Бугров В.Е., Егоров А.Ю.

Phosphorus-free mode-locked semiconductor laser with emission wavelength 1550 nm//Book of abstracts 4th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures - 2017. - С. 300-301

Kremleva A.V., Kirilenko D.A., Bougrov V.E., Romanov A.E., Nikolaev V.I., Odnoblyudov M.A.

Extended defects in epitaxial layers of (AlxGa1-x)2O3 grown on sapphire substrates//29th International Conference on Defects in Semiconductors, IET - 2017

Kolodeznyi E.S., Novikov I.I., Babichev A.V., Kurochkin A.S., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Gadzhiev I.M., Buyalo M.S., Usikova A.A., Ilynskaya N.D., Bougrov V.E., Egorov A.Y.

Phosphorus-free mode-locked semiconductor laser with emission wavelength 1550 nm//Journal of Physics: Conference Series, IET - 2017, Vol. 917, No. 5, pp. 052021 Подробнее

Kozyreva O., Михайлов А.К., Бугров В.Е., Одноблюдов М.А., Егоров А.Ю., Карачинский Л.Я.

High-speed 1.3-1.55 um PIN photodetector based on InGaAs/InP heterostructure for microwave photonics//4 th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures “Saint Petersburg OPEN 2017”, BOOK of ABSTRACTS, IET - 2017, pp. 316-317

Kistankina M.A., Aseev V.A., Tuzova I.V., Mynbaev K.D., Bougrov V.E., Nikonorov N.V., Romanov A.E.

Luminescent Phosphor-in-Glass Composite for White Light-Emitting Diodes//Journal of Optoelectronics Engineering, IET - 2017, Vol. 5, No. 1, pp. 7-9 Подробнее

Mynbaev K.D., Bazhenov N.L., Semakova A.A., Chernyaev A.V., Kizhaev S.S., Stoyanov N.D., Bougrov V.E., Lipsanen H.K., Salikhov K.

Spontaneous and stimulated emission in InAsSb-based LED heterostructures//Infrared Physics and Technology, IET - 2017, Vol. 85, pp. 246-250 Подробнее

Babichev A.V., Gladyshev A.G., Filimonov A.V., Nevedomskii V.M., Kurochkin A.S., Kolodeznyi E.S., Sokolovskii G.S., Bugrov V.E., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Bousseksou A., Egorov A.Y.

Heterostructures for quantum-cascade lasers of the wavelength range of 7–8 mum//Technical Physics Letters, IET - 2017, Vol. 43, No. 7, pp. 666-669 Подробнее

Bakholdin A., Bougrov Vladislav ., Ezhova K., Smirnova I., Voznesenskaya A.

PBL approach for undergraduate studies in light engineering//Proceedings of SPIE, IET - 2017, Vol. 10452, pp. 104524A Подробнее

Кремлева А.В., Кириленко Д.А., Одноблюдов М.А., Николаев В.И., Бугров В.Е., Романов А.Е.

Исследование структурных особенностей в объёмных кристаллах Ga2O3 и эпитаксиальных плёнках GaN, выращенных на объёмных кристаллах Ga2O3//Нитриды галлия, индия, алюминия - структуры и приборы - 2017. - С. 20-21

Kolodeznyi E.S., Novikov I.I., Babichev A.V., Kurochkin A.S., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Gadzhiev I.M., Buyalo M.S., Usikova A.A., Egorov A.Y., Bougrov V.E.

1550 nm mode-locked semiconductor lasers for all-optical analog-to-digital conversion//AIP Conference Proceedings, IET - 2017, Vol. 1874, pp. 040019 Подробнее

Kolodeznyi E.S., Novikov I.I., Gladyshev A.G., Rochas S.S., Sharipo K.D., Karachinsky L.Y., Egorov A.Y., Bougrov V.E.

Study of antireflection coatings for high-speed 1.3 -1.55 um InGaAs/InP PIN photodetector//Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics, IET - 2017, Vol. 32, No. 2, pp. 194-197 Подробнее

Рожков М.А., Колодезный Е.С., Смирнов А.М., Бугров В.Е., Романов А.Е.

Управление высотой барьера Шоттки на контакте графен/широкозонный полупроводник//Тезисы докладов 11-й Всероссийской конференции "Нитирды галлия, индия и алюминия - структуры и приборы" - 2017. - С. 176-177

Mynbaev K.D., Bazhenov N.L., Semakova A.A., Mikhailova M.P., Stoyanov N.D., Kizhaev S.S., Molchanov S.S., Astakhova A.P., Chernyaev A.V., Lipsanen H., Bougrov V.E.

Electroluminescence of InAs/InAs(Sb)/InAsSbP LED heterostructures in the temperature range 4.2–300 K//Semiconductors, IET - 2017, Vol. 51, No. 2, pp. 239-244 Подробнее

Nikolaev V.I., Maslov V.N., Stepanov S.I., Pechnikov A.I., Krymov V.M., Nikitina I.P., Guzilova L.I., Bougrov V.E., Romanov A.E.

Growth and characterization of beta-Ga2O3 crystals//Journal of Crystal Growth, IET - 2017, Vol. 457, pp. 132–136 Подробнее

Smirnov A.M., Young E.C., Bougrov V.E., Speck J.S., Romanov A.E.

Critical thickness for the formation of misfit dislocations originating from prismatic slip in semipolar and nonpolar III-nitride heterostructures//APL Materials, IET - 2016, Vol. 4, No. 1, pp. 016105 Подробнее

Бугров В.Е., Мынбаев К.Д., Мынбаева М.Г., Николаев В.И., Одноблюдов М.А., Романов А.Е.

Физические основы оптимизации свойств светодиодных материалов - 2016

Voznesenskaya A., Bougrov Vladislav ., Kozlov S., Vasilev V.

ITMO Photonics: center of excellence//Proceedings of SPIE, IET - 2016, Vol. 9946, pp. 99460V Подробнее

Novikov I.I., Karachinsky L.Y., Kolodeznyi E.S., Bougrov V.E., Kurochkin A.S., Gladyshev A.G., Babichev A.V., Gadzhiev I.M., Buyalo M.S., Zadiranov Y.M., Usikova A.A., Shernyakov Y.M., Savelyev A.V., Nyapshaev I.A., Egorov A.Y.

On the gain properties of “thin” elastically strained InGaAs/InGaAlAs quantum wells emitting in the near-infrared spectral region near 1550 nm//Semiconductors, IET - 2016, Vol. 50, No. 10, pp. 1412–1415 Подробнее

Bakholdin A.V., Bougrov V.E., Voznesenskaya A.O., Ezhova K.V.

Advanced interdisciplinary undergraduate program: light engineering//Proceedings of SPIE, IET - 2016, Vol. 9946, pp. 994612 Подробнее

Rybalko D.A., Polukhin I.S., Solov'Ev Y.V., Mikhailovskiy G.A., Odnoblyudov M.A., Gubenko A.E., Livshits D.A., Firsov A.N., Kirsyaev A.N., Efremov A.A., Bougrov V.E.

Model of mode-locked quantum-well semiconductor laser based on InGaAs/InGaAlAs/InP heterostructure//Journal of Physics: Conference Series, IET - 2016, Vol. 741, No. 1, pp. 012079 Подробнее

Колодезный Е.С., Курочкин А.С., Егоров А.Ю., Михайлов А.К., Карачинский Л.Я., Новиков И.И., Бабичев А.В., Гладышев А.Г., Гаджиев И.М., Ильинская Н.Д., Буяло М.С., Бугров В.Е.

Полупроводниковые лазерные диоды спектрального диапазона 1520-1580 НМ для радиофотоники и телекоммуникаций // Электроника и микроэлектроника СВЧ -2016. - Т. 2. - № 1. - С. 302-306

Бугров В.Е., Колодезный Е.С., Егоров А.Ю., Новиков И.И., Карачинский Л.Я., Одноблюдов М.А., Соловьев Ю.В.

Нанофотонные компоненты для создания полностью аналого-цифровых преобразователей//5-й Российский симпозиум с международным участием, Полупроводниковые лазеры: физика и технологии; Программа и тезисы докладов - 2016. - С. 27

Kolodeznyi E.S., Kurochkin A.S., Egorov A.Y., Gadzhiyev I.M., Buyalo M.S., Bugrov V.E., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Gladyshev A.G., Ilinskaya N.D.

High optical gain in phosphorus free 1550 nm laser diodes//Book of abstracts: MetaNano-2016, IET - 2016, pp. 63

Колодезный Е.С., Курочкин А.С., Бугров В.Е., Егоров А.Ю., Бабичев А.В., Новиков И.И., Карачинский Л.Я., Гладышев А.Г., Гаджиев И.М., Буяло М.С., Ильинская Н.Д.

Торцевые полупроводниковые лазерные диоды спектрального диапазона 1550 нм на основе механически напряженных гетероструктур InGaAs/InGaAlAs/InP//Физика полупроводников и наноструктур, полупроводниковая опто- и наноэлектроника: тезисы докладов - 2016. - С. 133

Mynbaeva M.G., Kremleva A.V., Kirilenko D.A., Sitnikova A.A., Pechnikov A.I., Mynbaev K.D., Nikolaev V.I., Bugrov V.E., Lipsanen H., Romanov A.E.

TEM study of defect structure of GaN epitaxial films grown on GaN/Al2O3 substrates with buried column pattern//Journal of Crystal Growth, IET - 2016, Vol. 445, pp. 30-36 Подробнее

Мынбаева М.Г., Кириленко Д.А., Ситникова А.А., Кремлева А.В., Николаев В.И., Мынбаев К.Д., Одноблюдов М.А., Липсанен Х.К., Бугров В.Е., Романов А.Е.

Получение толстых слоев нитрида галлия методом многостадийного роста на подложках с колонной структурой // Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики -2016. - Т. 16. - № 6(106). - С. 1048-1055 Подробнее

Мынбаева М.Г., Печников А.И., Смирнов А.Н., Кириленко Д.А., Рауфов С.Ч., Ситникова А.А., Одноблюдов М.А., Бугров В.Е., Мынбаев К.Д., Николаев В.И., Романов А.Е.

Оптические свойства толстых слоев нитрида галлия, выращенных хлорид-гидридной эпитаксией на структурированных подложках [Optical properties of thick GaN layers grown with hydride vapor-phase epitaxy on structured substrates] // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics -2016. - Т. 29. - № 1. - С. 24-31 Подробнее

Бугров В.Е., Мынбаева М.Г., Мынбаев К.Д., Николаев В.И., Одноблюдов М.А., Романов А.Е.

Физические основы оптимизации свойств светодиодных материалов -2016

Polukhin I.S., Mikhailovskiy G.A., Rybalko D.A., Solov'Ev Y.V., Petukhov E.P., Odnoblyudov M.A., Kolodeznyi E.S., Bougrov V.E., Mikhailov A.K., Lipsanen H.K.

Influence of absorber characteristics on operation regimes of passive mode locked lasers based on InGaAlAs/InGaAs/InP heterostructures//Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics, IET - 2016, Vol. 29, No. 1, pp. 71-75 Подробнее

Shirshneva-Vashchenko E.V., Sosnin I.M., Nuryev R.K., Gladskikh I.A., Liashenko T.G., Bougrov V.E., Romanov A.E.

Electrical and optical properties of transparent conducting ZnO:Al/AgNP multilayer films//Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics, IET - 2016, Vol. 29, No. 2, pp. 145-149 Подробнее

Polukhin I.S., Mikhailovskiy G.A., Rybalko D.A., Solov'Ev Y.V., Odnoblyudov M.A., Gubenko A.E., Livshits D.A., Firsov A.N., Kirsyaev A.N., Efremov A.A., Bougrov V.E.

Simulation operation regimes of passive mode-locked laser based on ingaalas/ingaas/inp heterostructures//Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics, IET - 2016, Vol. 27, No. 1, pp. 74-78 Подробнее

Николаев В.И., Печников А.И., Степанов С.И., Шарофидинов Ш.Ш., Головатенко А.А., Никитина И.П., Смирнов А.Н., Бугров В.Е., Романов А.Е., Брунков П.Н., Кириленко Д.А.

Хлоридная эпитаксия слоев beta-Ga2O3 на сапфировых подложках базисной ориентации // Физика и техника полупроводников -2016. - Т. 50. - № 7. - С. 997-1000 Подробнее

Шарофидинов Ш.Ш., Николаев В.И., Смирнов А.Н., Чикиряка А.В., Никитина И.П., Одноблюдов М.А., Бугров В.Е., Романов А.Е.

Снижение трещинообразования при росте ALN на подложках Si методом хлоридно-гидридной эпитаксии // Физика и техника полупроводников -2016. - Т. 50. - № 4. - С. 549-552 Подробнее

Новиков И.И., Карачинский Л.Я., Колодезный Е.С., Бугров В.Е., Курочкин А.С., Гладышев А.Г., Бабичев А.В., Гаджиев И.М., Буяло М.С., Задиранов Ю.М., Усикова А.А., Шерняков Ю.М., Савельев А.В., Няпшаев И.А., Егоров А.Ю.

Усилительные свойства «тонких» упругонапряженных квантовых ям InGaAs/InGaAlAs, излучающих в ближнем инфракрасном спектральном диапазоне вблизи 1550 нм // Физика и техника полупроводников -2016. - Т. 50. - № 10. - С. 1429-1433 Подробнее

Nikolaev V.I., Pechnikov A.I., Stepanov S.I., Sharofidinov S.S., Golovatenko A.A., Nikitina I.P., Smirnov A.N., Bugrov V.E., Romanov A.E., Brunkov P.N., Kirilenko D.A.

Chloride epitaxy of beta-Ga2O3 layers grown on c-sapphire substrates//Semiconductors, IET - 2016, Vol. 50, No. 7, pp. 980-983 Подробнее

Романов А.Е., Speck J.S., Бугров В.Е., Young E.C., Смирнов А.М.

Релаксация напряжений несоответствия путем призматического скольжения дислокаций несоответствия в III-нитридных структурах//XXII Петербургские чтения по проблемам прочности к 110-летию со дня рождения академика С.Н. Журкова и 85-летию со дня рождения профессора В.А. Лихачева 12 – 14 апреля 2016 г. Санкт-Петербург. Сборник материалов - 2016. - С. 251-253

Egorov A.Y., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Babichev A.V., Nevedomskiy V.N., Bugrov V.E.

Optical properties of metamorphic GaAs/InAlGaAs/InGaAs heterostructures with InAs/InGaAs quantum wells, emitting light in the 1250-1400-nm spectral range//Semiconductors, IET - 2016, Vol. 50, No. 5, pp. 612-615 Подробнее

Бабичев А.В., Бугров В.Е., Буяло М.С., Гаджиев И.М., Гладышев А.Г., Егоров А.Ю., Карачинский Л.Я., Колодезный Е.С., Курочкин А.С., Михайлов А.К., Новиков И.И.

Полупроводниковые лазерные диоды спектрального диапазона 1520-1580 нм для радиофотоники и телекоммуникаций//Сборник статей Пятой всероссийской конференции "Электроника и микроэлектроника СВЧ" - 2016. - Т. 2. - С. 302-306

Sharofidinov S.S., Nikolaev V.I., Smirnov A.N., Chikiryaka A.V., Nikitina I.P., Odnoblyudov M.A., Bougrov V.E., Romanov A.E.

On a reduction in cracking upon the growth of AlN on Si substrates by hydride vapor-phase epitaxy//Semiconductors, IET - 2016, Vol. 50, No. 4, pp. 541-544 Подробнее

Nikolaev V.I., Pechnikov A.I., Stepanov S.I., Nikitina I.P., Smirnov A.N., Chikiryaka A.V., Sharofidinov S.S., Bougrov V.E., Romanov A.E.

Epitaxial growth of (2-01) Beta-Ga2O3 on (0001) sapphire substrates by halide vapour phase epitaxy//Materials Science in Semiconductor Processing, IET - 2016, Vol. 47, pp. 16-19 Подробнее

Егоров А.Ю., Карачинский Л.Я., Новиков И.И., Бабичев А.В., Неведомский В.Н., Бугров В.Е.

Оптические свойства метаморфных гетероструктур GaAs/InAlGaAs/InGaAs с квантовыми ямами InAs/InGaAs, излучающих в спектральном диапазоне 1250-1400 нм // Физика и техника полупроводников -2016. - Т. 50. - № 5. - С. 624-627 Подробнее

Жумашев Н.К., Мынбаев К.Д., Баженов Н.Л., Стоянов Н.Д., Кижаев С.С., Гурина Т.И., Астахова А.П., Черняев А.В., Молчанов С.С., Липсанен Х.К., Салихов Х.М., Бугров В.Е.

Спектральные характеристики светодиодов среднего инфракрасного диапазона на основе InAs(Sb,P) // Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики -2016. - Т. 16. - № 1(101). - С. 76-84 Подробнее

Stepanov S.I., Nikolaev V.I., Bougrov V.E., Romanov A.E.

Gallium Oxide: Properties and Applications - a Review//Reviews on Advanced Materials Science, IET - 2016, Vol. 44, No. 1, pp. 63-86 Подробнее

Nikolaev V.I., Pechnikov A.I., Stepanov S.I., Krymov V.M., Maslov V.N., Bougrov V.E., Romanov A.E.

HVPE growth of GaN layers on cleaved beta-Ga2O3 substrates//Key Engineering Materials (Book Series), IET - 2016, Vol. 674, pp. 302-307 Подробнее

Bougrov V.E., Кистанкина М.А., Колодезный Е.С., Романов А.Е.

HEAT MANAGEMENT OF PHOSPHOR LAYERS WITH VARIOUS MATRICES IN HIGH POWER LEDs//The International Conference “Advanced Materials Week-2015” AMW 2015 Abstracts, IET - 2015, pp. 61

Speck J.S., Young E.C., Бугров В.Е., Романов А.Е., Смирнов А.М.

Критические условия формирования дислокаций несоответствия путем призматического скольжения в плуполярных и неполярных III-нитридных гетероструктурах//Неделя науки СПбПУ. Материалы научного форума с международным участием. 30 ноября - 5 декабря. Институт Прикладной Математики и Механики - 2015. - С. 128-129

Bougrov V.E., Krymov V.M., Maslov V.N., Nikolaev V.I., Pechnikov A.I., Romanov A.E., Stepanov S.I.

GaN growth on (100) beta-Ga2O3 substrates by HVPE//The International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials 2015, IET - 2015, pp. 132-133

Колесникова А.Л., Бугров В.Е., Константинов О.В.

Лекции по классической электродинамике - 2015

Shvaleva M.A., Tuzova Y.V., Romanov A.E., Aseev V.A., Nikonorov N.V., Mynbaev K.D., Bugrov V.E.

Optical and thermal properties of phosphors based on lead-silicate glass for high-power white LEDs//Technical Physics Letters, IET - 2015, Vol. 41, No. 11, pp. 1041-1043 Подробнее

Egorov A.Y., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Babichev A.V., Nevedomsky V.M., Bugrov V.E.

Design concepts of monolithic metamorphic vertical-cavity surface-emitting lasers for the 1300–1550 nm spectral range//Semiconductors, IET - 2015, Vol. 49, No. 11, pp. 1522-1526 Подробнее

Shvaleva M.A., Shulga E., Kink I., Mynbaev K.D., Bougrov V.E., Romanov A.E.

Na2SiO3 liquid glass-based phosphor material for white LEDs//Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science, IET - 2015, Vol. 212, No. 12, pp. 2964-2967 Подробнее

Bougrov V.E., Kalashnikov E.V., Krymov V.M., Maslov V.N., Nikolaev V.I., Pechnikov A.I., Romanov A.E.

beta-Ga2O3 crystals grown from Ga2O3-Al2O3 melt//The International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials 2015, IET - 2015, pp. 128-129

Егоров А.Ю., Карачинский Л.Я., Новиков И.И., Бабичев А.В., Неведомский В.Н., Бугров В.Е.

Концепции создания монолитных метаморфных вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1300-1550 нм // Физика и техника полупроводников -2015. - Т. 49. - № 11. - С. 1569-1573 Подробнее

Мынбаева М.Г., Печников А.И., Шарофидинов Ш.Ш., Бугров В.Е., Мынбаев К.Д., Степанов С.И., Одноблюдов М.А., Николаев В.И., Романов А.Е.

Светоизлучающие p–n структуры, выращенные хлорид-гидридной эпитаксией на структурированных подложках GaN/Al2O3 [Light-Emitting P-N structures fabricated with hydride vapor-phase epitaxy on GaN/Al2O3 structured substrates] // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics -2015. - Т. 22. - № 1. - С. 30-38 Подробнее

Maslov V.N., Nikolaev V.I., Krymov V.M., Bugrov V.E., Romanov A.E.

Deposition of beta-Ga2O3 layers by sublimation on sapphire substrates of different orientations//Physics of the solid state, IET - 2015, Vol. 57, No. 7, pp. 1342-1346 Подробнее

Bougrov V.E., Romanov A.E., Smirnov A.M., Speck J.S.

Modeling misfit stress relaxation via non-basal dilocation in III-nitride semipolar layered structures//The International Conference "Advanced Materials Week-2015" June 15-21, 2015, Togliatti - St. Petersburg, Russia. Abstracts, IET - 2015, pp. 66

Bougrov V.E., Kink I., Mynbaev K.D., Romanov A.E., Shulga E., Shvaleva M.A.

New type of liquid glass-based composite phosphor material for effective light conversion, IET - 2015

Bougrov V.E., Kink I., Mynbaev K.D., Romanov A.E., Shulga E., Shvaleva M.A.

Liquid glass-based phosphor materials for white LEDs, IET - 2015

Швалева М.А., Тузова Ю.В., Романов А.Е., Асеев В.А., Никоноров Н.В., Мынбаев К.Д., Бугров В.Е.

Оптические и термические свойства люминофоров на основе свинцово-силикатного стекла для мощных белых светодиодов // Письма в Журнал технической физики -2015. - Т. 41. - № 21. - С. 38-44 Подробнее

Перетягин В.С., Подосинников А.И., Романова Г.Э., Щеглов С.А., Мынбаев К.Д., Липсанен Х., Бугров В.Е.

Моделирование и исследование краевого эффекта при работе с трехкристальными RGB-светодиодами // Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики -2015. - Т. 15. - № 2(96). - С. 202-210 Подробнее

Маслов В.Н., Николаев В.И., Крымов В.М., Бугров В.Е., Романов А.Е.

Осаждение слоев beta-Ga2O3 методом сублимации на сапфировые подложки различных ориентаций // Физика твердого тела -2015. - Т. 57. - № 7. - С. 1315-1319 Подробнее

Artemiev D.M., Orlova T.S., Bougrov V.E., Odnoblyudov M.A., Romanov A.E.

Modeling of Threading Dislocation Density Reduction in Porous III-Nitride Layers//Journal of Electronic Materials, IET - 2015, Vol. 44, No. 5, pp. 1287-1292 Подробнее

Бугров В.Е., Кинк И., Кистанкина М.А., Мынбаев К.Д., Романов А.Е., Шульга Е.

ИССЛЕДОВАНИЕ НОВОГО ЛЮМИНОФОРНОГО МАТЕРИАЛА НА ОСНОВЕ РАСТВОРА ЖИДКОГО СТЕКЛА Na2SiO3 ДЛЯ БЕЛЫХ СВЕТОДИОДОВ//Научная Литература - 2015. - С. 69-70

Nikolaev V.I., Pechnikov A.I., Maslov V.N., Golovatenko A.A., Krymov V.M., Stepanov S.I., Zhumashev N.K., Bougrov V.E., Romanov A.E.

GaN growth on beta-Ga2O3 substrates by HVPE//Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics, IET - 2015, Vol. 22, No. 1, pp. 59-63 Подробнее

Бугров В.Е., Кистанкина М.А., Колодезный Е.С., Романов А.Е., Серебрякова В.С.

Теплообмен в люминофорсодержащих слоях с различными матрицами в структуре мощных светодиодов//Научная Литература - 2015. - С. 67-68

Шарофидинов Ш.Ш., Головатенко А.А., Никитина И.П., Середова Н.В., Мынбаева М.Г., Бугров В.Е., Одноблюдов М.А., Степанов С.И., Николаев В.И.

Толстые эпитаксиальные слои нитрида галлия на кремниевой подложке [Thick GaN layers on silicon substrate] // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics -2015. - Т. 22. - № 1. - С. 53-58 Подробнее

Romanov A.E., Kolesnikova A.N., Orlova T.S., Hussainova I., Bougrov V.E., Valiev R.Z.

Non-equilibrium grain boundaries with excess energy in graphene//Carbon, IET - 2015, Vol. 81, pp. 223-231 Подробнее

Рожков М.А., Колодезный Е.С., Смирнов А.М., Бугров В.Е., Романов А.Е.

Сравнение характеристик диодов Шоттки на основе бета-Ga2O3 и других широкозонных полупроводниковых материалов [Comparison of characteristics of schottky diodes based on бета-Ga2O3 and other wide bandgap semiconductors] // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics -2015. - Т. 24. - № 2. - С. 194-200 Подробнее

Bougrov V.E., Kovsh A.R., Mynbaev K.D., Nikolaev V.I., Odnoblyudov M.A., Romanov A.E., Vinogradova K.A.

Powerful Ultraviolet Chip-on-Board Modules for Medical Applications: Improvements in Technology and Characteristics "The 9th International Conference on Optics-photonics Design and Fabrication"//The 9th International Conference on Optics-photonics Design and Fabrication. Book of Abstracts, IET - 2014, pp. 353-354

Aseev V.A., Bougrov V.E., Ivukin I.N., Mynbaev K.D., Nikonorov N.V., Shvaleva M.A., Tuzova J.V.

New Luminescent Phosphor-in-Glass Composite for White Light-Emitting Diodes, IET - 2014

Асеев В.А., Тузова Ю.В., Бибик А.Ю., Колобкова Е.В., Некрасова Я.А., Никоноров Н.В., Кистанкина М.А., Романов А.Е., Бугров В.Е.

Неорганический композит "стекло-люминофор" на основе высокопреломляющей свинцово-силикатной матрицы для белых светодиодов [Inorganic composite «phosphor in glass» based on highly refractive LED-silicate matrix for white LEDs] // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics -2014. - Т. 21. - № 3. - С. 242-247 Подробнее

Kolodeznyi E.S., Ivukin I.N., Serebryakova V.S., Bougrov V.E., Romanov A.E.

Thermal analysis of phosphor containing silicone layer in high power LEDs//Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics, IET - 2014, Vol. 21, No. 3, pp. 283-287 Подробнее

Фудин М.С., Мынбаев К.Д., Липсанен Х., Айфантис К., Бугров В.Е., Романов А.Е.

Частотные характеристики современных светодиодных люминофорных материалов // Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики -2014. - № 6(94). - С. 71-76 Подробнее

Артемьев Д.М., Орлова Т.С., Бугров В.Е., Одноблюдов М.А., Романов А.Е.

Реакционно- кинетическая модель уменьшения плотности проникающих дислокаций в пористом слое GaN // XXI Петербургские чтения по проблемам прочности. К 100-летию со дня рождения Л.М.Качанова и Ю.Н. Работнова -2014. - С. 98-100

Bougrov V.E., Kovsh A.R., Mynbaev K.D., Odnoblyudov M.A., Vinogradova K.A.

Active Chip-on-Board Modules for Special Spectra Devices: Technology and Control "The 9th International Conference on Optics-photonics Design and Fabrication"//The 9th International Conference on Optics-photonics Design and Fabrication. Book of Abstracts, IET - 2014, pp. 351-352

Lipnitskaya S.N., Mynbaev K.D., Nikulina L., Kramnik V., Bougrov V.E., Kovsh A.R., Odnoblyudov M.A., Romanov A.E.

Investigation of light extraction from light emitting module chip-on-board//Optical Review, IET - 2014, Vol. 21, No. 5, pp. 655-658 Подробнее

Nikolaev V.I., Golovatenko A.A., Mynbaeva M.G., Nikitina I.P., Seredova N.V., Pechnikov A.I., Bougrov V.E., Odnoblyudov M.A.

Effect of nano-column properties on self-separation of thick GaN layers grown by HVPE//Physica Status Solidi (c) Current Topics in Solid State Physics, IET - 2014, Vol. 11, No. 3-4, pp. 502-504 Подробнее

Липницкая С.Н., Мынбаев К.Д., Никулина Л.А., Бугров В.Е., Ковш А.Р., Одноблюдов М.А., Романов А.Е.

Исследование вывода света из светодиодного модуля "CHIP-ON-BOARD" // Ученые записки физического факультета МГУ -2014. - № 2. - С. 142402(1-5) Подробнее

Artemiev D.M., Orlova T.S., Bougrov V.E., Odnoblyudov M.A., Romanov A.E.

Reaction-kinetics model for threading dislocation density reduction in GaN porous layer//AIP Conference Proceedings, IET - 2014, Vol. 1583, pp. 310-314 Подробнее

Romanov A.E., Kolesnikova A.L., Orlova T.S., Hussainova I., Bougrov V.E., Valiev R.Z.

Non-equilibrium grain boundaries with exess energy in graphene Disclination modeling of grain boundaries in graphene//Acta Materialia, IET - 2014

Shvaleva M.A., Nikulina L.A., Aseev V.A., Mynbaev K.D., Bougrov V.E., Kovsh A.R., Odnoblyudov M.A., Nikonorov N.V., Romanov A.E.

Ce3+: YAG Doped Glass-Ceramics For White Light-Emitting Diode//Optical Review, IET - 2014, Vol. 21, No. 5, pp. 683-686 Подробнее

Бугров В.Е., Кистанкина М.А., Коротаев В.В., Мынбаев К.Д., Нисимов С.У., Романов А.Е., Серебрякова В.С.

Новая образовательная программа в области твердотельного освещения//Международная научно-практическая конференция "Свет Петербурга" - 2013. - С. 16-17

Бугров В.Е., Виноградова К.А.

Оптоэлектроника светодиодов. Учебное пособие - 2013

Vinogradova K.A., Nikulina L.A., Mynbaev K.D., Kovsh A.R., Odnoblyudov M.A., Nikolaev V.I., Bougrov V.E.

Сравнение эффективности светодиодных излучателей на основе монохромных чипов и чипов с люминофором [Efficiency comparison of light emitting diodes based on monochromatic chips and chips with phosphor] // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics -2013. - Т. 18. - № 2. - С. 135-142 Подробнее

Vinogradova K.A., Nikulina L.A., Braslavskii S.S., Solovieva E.A., Mynbaev K.D., Nikolaev V.I., Romanov A.E., Bugrov V.E.

Temperature stability of colored LED elements//Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics, IET - 2013, Vol. 18, No. 2, pp. 143–147

Lipnitckaia S.N., Mynbaev K.D., Nikulina L.A., Kramnik V., Bougrov V.E., Kovsh A.R., Odnoblyudov M.A., Romanov A.E.

Design optimization of light emitting diode module «chip-on- board» for light extraction increase//Conference Proceedings - 12th International Conference on Laser and Fiber-Optical Networks Modeling, LFNM 2013, IET - 2013, pp. 6644845 Подробнее

Artemiev D., Bougrov V.E., Odnoblyudov M.A., Romanov A.E.

Mechanical stress control in GaN films on sapphire substrate via patterned nanocolumn interlayer formation//Physica Status Solidi (c) Current Topics in Solid State Physics, IET - 2013, Vol. 10, No. 1, pp. 89-92 Подробнее

Бугров В.Е.

"Физические основы оптимизации нитридных полупроводниковых гетероструктур для их применения в высокоэффективных светодиодных устройствах" - 2013//Санкт-Петербург - 36

Виноградова К.А., Бугров В.Е., Ковш А.Р., Одноблюдов М.А., Николаев В.И., Романов А.Е.

Деградация белых и синих светодиодов при длительном времени работы // Известия высших учебных заведений. Приборостроение -2013. - Т. 56. - № 11. - С. 87-91 Подробнее

Бугров В.Е., Бугров В.Е.

"Пути увеличения эффективности мощных светодиодных сборок "чип на плате" - 2013

Бугров В.Е.

LED influence on human eyes, IET - 2013

Ивукин И.Н., Бугров В.Е., Ковш А.Р., Одноблюдов М.А., Шалковский А.Г., Романов А.Е.

Моделирование теплообмена и оптимизация свойств материалов пластиковых радиаторов ретрофитных светодиодных ламп [Heat transfer simulation and retrofit led lamp plastic heat sink material optimization] // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics -2013. - Т. 17. - № 2. - С. 178-182

Lipnitskaya S.N., Mynbaev K.D., Bougrov V.E., Kovsh A.R., Odnoblyudov M.A., Romanov A.E.

Effects of light scattering in optical coatings on energy losses in LED devices//Technical Physics Letters, IET - 2013, Vol. 39, No. 12, pp. 1074-1077 Подробнее

Vinogradova K.A., Lipnitskaya S.N., Mynbaev K.D., Bougrov V.E., Kovsh A.R., Odnoblyudov M.A., Nikolaev V.I., Romanov A.E.

Оптимизация вывода света из мощных светодиодных сборок "чип на плате", излучающих в ультрафиолетовом диапазоне длин волн [Optimization of light extraction from power led chip-on-board modules emitting in ultraviolet range of spectrum]//Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics, IET - 2013, Vol. 17, No. 2, pp. 111-120 Подробнее

Бугров В.Е., Кистанкина М.А., Ковш А.Р., Мынбаев К.Д., Одноблюдов М.А., Романов А.Е.

Разработка перспективных композитных люминофорных материалов на основе неорганических матриц//Тезисы докладов 9-й Всероссийской конференции "Нитриды галлия, индия и алюминия - структуры и приборы" - 2013. - С. 249-250

Липницкая С.Н., Мынбаев К.Д., Никулина Л.А., Бугров В.Е., Ковш А.Р., Одноблюдов М.А., Романов А.Е.

Повышение эффективности вывода света из светодиодных модулей "CHIP-ON-BOARD" // Оптический журнал -2013. - Т. 80. - № 12. - С. 45-52 Подробнее

Белов А.Ю., Бугров В.Е., Ивукин И.Н., Ковш А.Р., Одноблюдов М.А., Романов А.Е.

Исследование радиаторов из теплопроводящих пластиков для ретрофитных светодиодных устройств//Международная научно-практическая конференция "Свет Петербурга" - 2013. - С. 9-10

Ивукин И.Н., Белов А.Ю., Бугров В.Е., Ковш А.Р., Одноблюдов М.А., Романов А.Е.

Оптимизация радиатора ретрофитной светодиодной лампы // Известия высших учебных заведений. Приборостроение -2013. - Т. 56. - № 11. - С. 83-87 Подробнее

Бугров В.Е.

Физические основы оптимизации нитридных полупроводниковых гетероструктур для их применения в высокоэффективных светодиодных устройствах,//Тезисы докладов 9-й Всероссийской конференции "Нитриды галлия, индия и алюминия - структуры и приборы" - 2013. - С. 90-93

Артемьев Д.М., Бугров В.Е., Одноблюдов М.А., Романов А.Е.

Уменьшение остаточных механических напряжений в подложках GaN/сапфир за счет формирования промежуточного слоя наноколонок//Тезисы докладов 9-й Всероссийской конференции "Нитриды галлия, индия и алюминия - структуры и приборы" - 2013. - С. 263-264

Виноградова К.А., Липницкая С.Н., Бугров В.Е.

Оптоэлектроника светодиодов. Лабораторный практикум - 2013

Липницкая С.Н., Мынбаев К.Д., Бугров В.Е., Ковш А.Р., Одноблюдов М.А., Романов А.Е.

Влияние светорассеяния в оптических покрытиях на потери энергии в светодиодных устройствах // Письма в Журнал технической физики -2013. - Т. 39. - № 24. - С. 1-8 Подробнее

Бугров В.Е., Виноградова К.А.

Физические основы светодиодной техники - 2013

Artemiev D.M., Bougrov V.E., Kovsh A.R., Odnoblyudov M.A., Orlova T.S., Romanov A.E.

Reaction-kinetics model for threading dislocation density reduction in GaN porous layer//Book of Abstracts International Conference on Defects in Semiconductors ICDS27, IET - 2013, pp. 234

Bougrov V.E., Golovatenko A.A., Odnoblyudov M.A., Мынбаева М.Г., Никитина И.П., Николаев В.И., Середова Н.В.

Influence of Nanocolumns Properties on Self-Separation Process of Thick GaN Layers Grown by HVPE//10th International Conference on Nitride Semiconductors. Book of Abstracts. Symposium A., IET - 2013, pp. 108

Бугров В.Е., Ковш А.Р., Липницкая С.Н., Мынбаев К.Д., Никулина Л.А., Одноблюдов М.А., Рамхен Й., Романов А.Е.

Оптимизация конструкции светодиодного модуля Chip-On-Board с целью увеличения светоотдачи//Первая международная выставка-конференция "Свет Петербурга" Сборник Тезисов - 2013. - С. 12-13

Бугров В.Е., Ивукин И.Н., Ковш А.Р., Одноблюдов М.А., Романов А.Е.

Исследование теплообмена в тонких слоях люминофора светодиодных модулей//Тезисы докладов 9-й Всероссийской конференции "Нитриды галлия, индия и алюминия - структуры и приборы" - 2013. - С. 154-155

Бугров В.Е., Липницкая С.Н., Мынбаев К.Д., Никулина Л.А., Одноблюдов М.А., Рамхен Й., Романов А.Е.

Исследование вывода света из светодиодного модуля chip-on-board//Тезисы докладов 9-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы» - 2013. - С. 174-175

Бугров В.Е., Ковш А.Р., Крамник В.В., Липницкая С.Н., Мынбаев К.Д., Никулина Л.А., Одноблюдов М.А., Романов А.Е.

Design optimization of light emitting diode module «CHIP-ON-BOARD» for light extraction increase//Conference Proceedings "12th International Conference on Laser and Fiber-Optical Networks Modeling LFNM’ 2013" - 2013. - С. 87-89

Суслов С.С., Бугров В.Е., Романов А.Е., Одноблюдов М.А.

Modelling and optimization of electric current spreading in III-nitride LEDs//Physica Status Solidi, IET - 2012, Vol. 9, No. 3-4, pp. 1105–1108

Ali M., Svensk O., Riuttanen L., Kruse M., Suihkonen S., Romanov A.E., Torma P., Sopanen M., Lipsanen H., Odnoblyudov M.A., Bougrov V.E.

Enhancement of near-UV GaN LED light extraction efficiency by GaN/sapphire template patterning//Semiconductor Science and Technology, IET - 2012, Vol. 27, No. 8, pp. 082002 Подробнее

Ivukin I.N., Artem'Ev D.M., Bougrov V.E., Odnoblyudov M.A., Romanov A.E.

Simulation of a stress-strain state in thin structured gallium nitride films on sapphire substrates//Physics of the solid state, IET - 2012, Vol. 54, No. 12, pp. 2421-2424 Подробнее

Ivukin I.N., Bougrov V.E., Odnoblyudov M.A., Romanov A.E.

Reduction of mechanical stresses in GaN/sapphire templates via formation of regular porous structure//Physica Status Solidi (c) Current Topics in Solid State Physics, IET - 2012, Vol. 9, No. 3-4, pp. 1057-1059 Подробнее

Артемьев Д.М., Бугров В.Е., Романов А.Е., Ивукин И.Н., Одноблюдов М.А.

Моделирование напряженно-деформированного состояния в тонких структурированных пленках нитрида галлия на сапфировых подложках // Физика твердого тела -2012. - Т. 54. - № 12. - С. 2294-2297

Суслов С.С., Виноградова К.А., Бугров В.Е., Одноблюдов М.А., Романов А.Е.

Параметрическое моделирование светоизлучающих структур на основе III-нитридов [Parametric modeling of light emitting structures based on III-nitrides] // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics -2012. - Т. 14. - № 1. - С. 78-86 Подробнее

Бугров В.Е., Николаев В., Одноблюдов М., Романов А., Ковш А.

Романов Высококачественные подложки GaN для современной светодиодной индустрии // Полупроводниковая Светотехника -2011. - № 5. - С. 30-33

Ali M., Romanov A.E., Suihkonen S., Svensk O., Torma P., Sopanen M., Lipsanen H.K., Odnoblyudov M.A., Bougrov V.E.

Void shape control in GaN re-grown on hexagonally patterned, mask-less GaN//Journal of Crystal Growth, IET - 2011, Vol. 315, No. 1, pp. 188-191

Романов А.Е., Одноблюдов М.А., Ковш А.Р., Бугров В.Е., Николаев В.И.

Высококачественные подложки GaN для современной светодиодной индустрии // Полупроводниковая светотехника -2011. - Т. 5. - № 13. - С. 34-37

Torma P., Ali M., Svensk O., Suihkonen S., Sopanen M., Lipsanen H.K., Mulot M., Odnoblyudov M.A., Bougrov V.E.

InGaN-based 405 nm near-ultraviolet light emitting diodes on pillar patterned sapphire substrates//CrystEngComm, IET - 2010, Vol. 12, No. 10, pp. 3152-3156

Bougrov V.E., Kovsh A.R., Odnoblyudov M.A., Romanov A.E.

High quality GaN substrates for modern LED technology//LED Professional Review, IET - 2010, Vol. 18, pp. 42-49

Публикации в репозитории Университета ИТМО

Мынбаева . М., Кириленко . Д., Ситникова . А., Кремлева . А., Николаев В. И., Мынбаев К. Д., Одноблюдов . М., Липсанен Х. К., Бугров В. Е., Романов А. Е.
ПОЛУЧЕНИЕ ТОЛСТЫХ СЛОЕВ НИТРИДА ГАЛЛИЯ МЕТОДОМ МНОГОСТАДИЙНОГО РОСТА НА ПОДЛОЖКАХ С КОЛОННОЙ СТРУКТУРОЙ
Статья опубликована Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики в выпуске 6(106) за 2016 г.

Жумашев Н. К., Мынбаев К. Д., Баженов Н. Л., Стоянов Н. Д., Кижаев С. С., Гурина Т. И., Астахова А. П., Черняев А. В., Молчанов С. С., Липсанен Х. К., Салихов Х. М., Бугров В. Е.
СПЕКТРАЛЬНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ СВЕТОДИОДОВ СРЕДНЕГО ИНФРАКРАСНОГО ДИАПАЗОНА НА ОСНОВЕ InAs(Sb,P)
Статья опубликована Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики в выпуске 1(101) за 2016 г.

Подосинников А. И., Романова Г. Э., Щеглов С. А., Перетягин В. С., Мынбаев К. Д., Липсанен Х. К., Бугров В. Е.
МОДЕЛИРОВАНИЕ И ИССЛЕДОВАНИЕ КРАЕВОГО ЭФФЕКТА ПРИ РАБОТЕ С ТРЕХКРИСТАЛЬНЫМИ RGB-СВЕТОДИОДАМИ
Статья опубликована Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики в выпуске 2(96) за 2015 г.

Фудин М. С., Мынбаев К. Д., Липсанен Х. К., Айфантис К. Е., Бугров В. Е., Романов А. Е.
ЧАСТОТНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ СОВРЕМЕННЫХ СВЕТОДИОДНЫХ ЛЮМИНОФОРНЫХ МАТЕРИАЛОВ
Статья опубликована Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики в выпуске 6(94) за 2014 г.

Липницкая С. , Мынбаев К. Д., Никулина Л. , Бугров В. Е., Ковш А. Р., Одноблюдов М. А., Романов А. Е.
ПОВЫШЕНИЕ ЭФФЕКТИВНОСТИ ВЫВОДА СВЕТА ИЗ СВЕТОДИОДНЫХ МОДУЛЕЙ “CHIP-ON-BOARD”
Статья опубликована «Оптический журнал» в выпуске 12(80) за 2013 г.

Ивукин И. Н., Белов А. Ю., Бугров В. Е., Ковш А. Р., Одноблюдов М. А., Романов А. Е.
ОПТИМИЗАЦИЯ РАДИАТОРА РЕТРОФИТНОЙ СВЕТОДИОДНОЙ ЛАМПЫ
Статья опубликована ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ «ПРИБОРОСТРОЕНИЕ» в выпуске 11(56) за 2013 г.

Виноградова К. А., Бугров В. Е., Ковш А. Р., Одноблюдов М. А., Николаев В. И., Романов А. Е.
ДЕГРАДАЦИЯ БЕЛЫХ И СИНИХ СВЕТОДИОДОВ ПРИ ДЛИТЕЛЬНОМ ВРЕМЕНИ РАБОТЫ
Статья опубликована ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ «ПРИБОРОСТРОЕНИЕ» в выпуске 11(56) за 2013 г.

Проекты

Разработка комплекса беспроводной системы передачи данных по технологии Li-Fi для интернета вещей и интеллектуальной световой среды в городском пространстве
10/23/2017 - 12/31/2019

Разработка конструкции и технологии изготовления оптоэлектронных трансиверов на основе фотонных интегральных схем для нового поколения высокопроизводительныхм информационных систем
09/26/2017 - 12/31/2019

Исследование и разработка методов и средств решения прикладных задач фотоники
09/01/2017 - 08/31/2020

Анализ состояния и перспектив развития научных исследований, экспериментальных разработок и внедрения передовых технологий в области фотоники и квантовых технологий, в том числе в рамках международного сотрудничества
01/01/2017 - 12/31/2017

Разработка компонентной базы радиофотоники для создания современных оптических аналогово-цифровых преобразователей
09/04/2015 - 12/31/2017

Фундаментальные исследования процессов взаимодействия излучения с новыми функциональными,конструкционными и биологическими материалами
09/01/2015 - 08/31/2017

Кристаллы и структуры на основе оксида и нитрида галлия для светодиодов УФ и видимого диапазонов
01/01/2014 - 12/31/2014

Разработка и исследование перспективных композитных электро- и теплопроводящих материалов и покрытий, обладающих улучшенными функциональными свойствами.
01/01/2014 - 12/31/2014