Перейти к содержимому страницы.

Международная лаборатория "Механики и энергетических систем"

Задачи лаборатории: 

  • разработка технологии производства низкодефектных полуизолирующих (высокоомных) и токопроводящих подложек из карбида кремния (SiC) диаметром 6-8" для изделий СВЧ и силовой электроники;

  • разработка технологии производства гетероструктур нитрида галлия (GaN) на SiC с использованием экономичной технологии хлоридно-гидридной эпитаксии (ХГЭ) для полупроводниковых СВЧ (политип гексагональной решетки 6H SiC) и силовых приборов (политип гексагональной решетки 4H SiC);
  • разработка технологии объемного выращивания кристаллов SiC с кубической решеткой (политип 3С) и гетерополитипных структур на его основе, не подверженных деградации под воздействием прямых токов большой плотности;
  • разработка технологии получения пленок графена на подложках SiC политипа 6Н методом термодеструкции поверхности карбида кремния;
  • разработка концепции сверхчувствительного датчика концентраций «Сбочий нос» на основе пленок графена;
  • исследование возможности наноструктурирования тонких поверхностных структур кристаллических решеток бегущими ударными волнами.